[发明专利]用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法

说明书

本申请涉及用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法。提供了一种用于多区加热盘的转接结构。所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极。所述转接结构包括：射频连接结构、第一对交流连接结构以及第二对交流连接结构。所述射频连接结构包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器。所述第一对交流连接结构包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器。所述第二对交流连接结构包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。

技术领域

本申请大体上涉及半导体制造领域，且更具体来说，涉及在半导体处理系统中用于多区加热盘的转接结构、交流滤波器组合和方法。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，需要提高半导体处理系统的产能，提高生产机台的集成生产能力，这就要求增加半导体处理系统能够同时处理的基片的最大数量。可以通过增加半导体处理系统搭载的处理腔室的数量或者采用多站式处理腔室来实现此目的。多站式处理腔室指的是在一个处理腔室中可设置多个处理站，每个处理站可处理一个基片，因而多站式处理腔室可以同时处理多个基片。

通常希望对多站式处理腔室中的多个基片进行相同的工艺处理，并得到相同的薄膜厚度分布。然而，各个处理站之间的硬件差异可能会导致射频阻抗的差异，进而影响工艺结果的一致性。因此，需要一种能够减少多个处理站之间工艺结果的差异性的方法。

另外，对于单个处理站而言，如何调整不同区域的薄膜厚度分布以满足不同应用需求也是需要考虑的问题。

发明内容

为了解决上述问题，在本申请的一种实施方式中，提供了一种用于多区加热盘的转接结构。所述多区加热盘包括加热盘射频电极、连接到第一区域加热元件的第一对加热盘交流电极以及连接到第二区域加热元件的第二对加热盘交流电极。所述转接结构包括：射频连接结构、第一对交流连接结构以及第二对交流连接结构。所述射频连接结构包括第一硬质连接器，用于将所述加热盘射频电极连接到调谐器。所述第一对交流连接结构包括第一对硬质连接器，用于将所述第一对加热盘交流电极连接到第一交流滤波器。所述第二对交流连接结构包括第二对硬质连接器，用于将所述第二对加热盘交流电极连接到第二交流滤波器。

在一些实施例中，所述第一硬质连接器大致呈L形。

在一些实施例中，所述第一硬质连接器的一端形成射频电极接入端子，用于连接所述加热盘射频电极，且所述第一硬质连接器的另一端连接到所述调谐器。

在一些实施例中，所述第一硬质连接器的所述另一端通过射频转接柱连接到所述调谐器。

在一些实施例中，所述第一对硬质连接器中的每一者大致呈柱形。

在一些实施例中，所述第一对硬质连接器中的每一者的一端形成交流电极接入端子，用于连接所述第一对加热盘交流电极中的相应加热盘交流电极，且所述第一对硬质连接器中的每一者的另一端形成交流电接口，用于连接所述第一交流滤波器的相应交流电输出端口。

在一些实施例中，所述转接结构进一步包括多个隔离组件。所述多个隔离组件包围所述射频连接结构、所述第一对交流连接结构和第二对交流连接结构。

在一些实施例中，所述隔离组件包括隔离管或隔离块。