[发明专利]一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统

权利要求书

1.一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，包括电荷泵、NMOS管MH、NMOS管ML，NMOS管MH的栅极与电荷泵的输出端的耦接，NMOS管MH的漏极接电源VCC，NMOS管MH的源极与NMOS管ML的漏极耦接，NMOS管ML的源极接地，NMOS管ML的漏极以及NMOS管MH的源极两点之间的电压作为Vout输出，其特征在于，还包括：

主关断模块(1)，耦接于所述NMOS管MH，用于将NMOS管MH的栅极与源极短接；

以及控制模块(2)，耦接于所述主关断模块(1)，用于控制所述主关断模块(1)的接通及关断；

所述主关断模块(1)具有第一连接端、第二连接端以及第三连接端，所述主关断模块(1)的第一连接端耦接于NMOS管MH的栅极、第二连接端耦接于所述NMOS管MH的源极、第三连接端耦接于所述控制模块(2)；

当所述第三连接端上的电压值超过第二连接端上的电压值时，所述主关断模块(1)激活接通；

所述主关断模块(1)的第二连接端与第三连接端之间耦接有电阻R2，所述控制模块(2)包括：

电流供给模块(21)，耦接于所述主关断模块(1)的第三连接端，用于对所述主关断模块(1) 提供电流以在电阻R2上产生压降；

以及辅助关断模块(22)，耦接于所述NMOS管MH的栅极，用于将所述NMOS管MH的栅极接地使其电压置零。

2.根据权利要求1所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于：所述主关断模块(1)包括NMOS管M8、电阻R2，NMOS管M8的漏极与NMOS管MH的栅极耦接、源极与NMOS管MH的源极耦接、栅极与控制模块(2)耦接，电阻R2的两端分别与NMOS管M8的源极、栅极耦接，所述第一连接端为NMOS管M8的漏极、第二连接端为NMOS管M8的源极、第三连接端为NMOS管M8的栅极。

3.根据权利要求2所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于：所述电流供给模块(21)包括PMOS电流镜M6~M5、可控电流源I1，所述PMOS电流镜M6~M5的输入端与可控电流源I1耦接、输出端与NMOS管M8的栅极耦接、供电端耦接于电源VCC，可控电流源I1的另一端接地，可控电流源I1具有控制端，控制端用于接收外部控制信号以控制可控电流源I1产生电流。

4.根据权利要求3所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于：所述辅助关断模块(22)包括NMOS管M7，所述NMOS管M7的漏极耦接于NMOS管M8的栅极、源极接地、栅极用于接入外部控制信号。

5.根据权利要求4所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于：所述NMOS管M7的栅极与可控电流源I1的控制端耦接，以供NMOS管M7的栅极与可控电流源I1同时接收外部控制信号。

6.根据权利要求1所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于，还包括：

自断路模块(3)，耦接于所述辅助关断模块(22)，用于在所述主关断模块(1)开启后将辅助关断模块(22)断开。

7.根据权利要求6所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于，所述自断路模块(3)包括：

断路信号输入模块(31)，耦接于所述辅助关断模块(22)，内预置有基准电压值，将所述NMOS管MH的源极电压值与基准电压值比较，以输出断路信号；

以及执行模块(32)，耦接于所述断路信号输入模块(31)以及辅助关断模块(22)，接收断路信号，以作出控制所述辅助关断模块(22)通断的响应。

8.根据权利要求7所述的一种无自举电容的N型高侧开关管关断的控制系统，其特征在于，所述执行模块(32)包括：

非门，其输入端耦接于所述断路信号输入模块(31)，以用于接收断路信号；

以及与门，其第一输入端耦接于非门的输出端，其第二输入端用于接收外部控制信号，输出端与辅助关断模块(22)耦接以作出控制所述辅助关断模块(22)通断的响应。