[发明专利]一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置及其应用

权利要求书

1.一种便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置包括蒸发腔与存储腔；

所述蒸发腔通过软连接管路与存储腔连通；所述蒸发腔与存储腔的连通管路设置有截止件；

所述蒸发腔内设置有蒸发源以及用于放置坩埚的凹槽；

所述存储腔内设置有坩埚存储架以及机械手；所述机械手用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输；

所述坩埚为圆台状坩埚。

2.根据权利要求1所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述坩埚存储架包括支撑板、设置于支撑板上的坩埚支架以及设置于支撑板底部的支撑轴；所述支撑轴穿设于存储腔；所述支撑轴用于坩埚支架沿支撑轴的轴向位移和/或坩埚支架沿支撑轴的轴向旋转；

优选地，所述坩埚支架包括至少1层坩埚存储台；所述坩埚存储台用于放置圆台状坩埚；所述坩埚存储台通过支撑柱支撑；

优选地，所述坩埚存储台设置有放置圆台状坩埚的至少2个通孔。

3.根据权利要求1或2所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述机械手包括第一位移件与第二位移件；

所述第一位移件穿设于存储腔，所述第一位移件的轴向与支撑轴的轴向平行，第一位移件的轴向与第二位移件的轴向垂直；

所述第一位移件带动第二位移件沿第一位移件的轴向位移和/或带动第二位移件沿第一位移件的轴向旋转；所述第二位移件用于坩埚在凹槽以及坩埚存储架之间的运输。

4.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；

所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚高出凹槽。

5.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚为单层坩埚；

所述圆台状坩埚放置于凹槽时，圆台状坩埚不高出凹槽；

所述凹槽的底部设置有至少3个用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于穿过通孔顶起圆台状坩埚。

6.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚包括内层以及设置于内层外侧的保护层；

所述圆台状坩埚放置于凹槽时，内层不高出凹槽，保护层高出凹槽。

7.根据权利要求1-3任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述圆台状坩埚包括内层以及设置于内层外侧的保护层；

所述圆台状坩埚放置于凹槽时，内层不高出凹槽，保护层不高出凹槽；

所述凹槽的底部设置有至少3个用于穿过顶针的通孔；所述顶针用于穿过通孔顶起圆台状坩埚。

8.根据权利要求6或7所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置，其特征在于，所述内层所用材料包括Al₂O₃或石墨；

优选地，所述保护层所用材料包括钼、钨或铜中的任意一种。

9.一种利用权利要求1-8任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置进行蒸发镀膜的应用，其特征在于，所述应用包括如下步骤：

(1)真空条件下，使蒸发腔与存储腔连通，通过坩埚存储架与机械手的配合，将放置于坩埚存储架的坩埚转移至凹槽，实现蒸发腔内坩埚的放置；

(2)真空条件下，使蒸发腔与存储腔连通，通过坩埚存储架与机械手的配合，将放置于凹槽的坩埚转移至坩埚存储架，实现蒸发腔内坩埚的取出；

步骤(1)与步骤(2)不分先后顺序。

10.一种利用权利要求1-8任一项所述的便于更换坩埚的高通量薄膜制备装置进行蒸发镀膜的应用，其特征在于，所述应用包括如下步骤：

(1)真空条件下，使蒸发腔与存储腔连通，通过坩埚存储架与机械手的配合，将放置于坩埚存储架的坩埚转移至凹槽，实现蒸发腔内坩埚的放置；

(2)真空条件下，使蒸发腔与存储腔连通，利用顶针将坩埚顶出凹槽，然后通过坩埚存储架与机械手的配合，将放置于凹槽的坩埚转移至坩埚存储架，实现蒸发腔内坩埚的取出；

步骤(1)与步骤(2)不分先后顺序。