[发明专利]聚合物正温度系数（PPTC）主体及由其制成的装置

权利要求书

1.一种聚合物正温度系数(PPTC)主体，其包括：

聚合物和包含通式M_n+1AX_n的化合物的导电填料，其中M为d区过渡金属元素，A为p区元素，X为碳或氮，且n为1、2或3。

2.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述p区元素选自IIIa、IVa、Va或VIa族元素。

3.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述p区元素选自Al、Si、P、S、Ga、Ge、As、Cd、In、Sn、Tl和Pb。

4.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述过渡金属选自IIIb、IVb、Vb或VIb族元素。

5.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述过渡金属选自Ti、Sc、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf和Ta。

6.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中n为1。

7.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中n为2。

8.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中n为3。

9.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述化合物选自Ti₂CdC、Sc₂InC、Ti₂AlC、Ti₂GaC、Ti₂InC、Ti₂TlC、V₂AlC、V₂GaC、Cr₂GaC、Ti₂AlN、Ti₂GaN、Ti₂InN、V₂GaN、Cr₂GaN、Ti₂GeC、Ti₂SnC、Ti₂PbC、V₂GeC、Cr₂AlC、Cr₂GeC、V₂PC、V₂AsC、Ti₂SC、Zr₂InC、Zr₂TlC、Nb₂AlC、Nb₂GaC、Nb₂InC、Mo₂GaC、Zr₂InN、Zr₂TlN、Zr₂SnC、Zr₂PbC、Nb₂SnC、Nb₂PC、Nb₂AsC、Zr₂SC、Nb₂SC、Hf₂InC、Hf₂TlC、Ta₂AlC、Ta₂GaC、Hf₂SnC、Hf₂PbC、Hf₂SnN、Hf₂SC或Zr₂AlC。

10.根据权利要求1所述的PPTC主体，其中所述化合物选自Ti₃AlC₂、Ti₃GaC₂、Ti₃InC₂、V₃AlC₂、Ti₃SiC₂、Ti₃GeC₂、Ti₃SnC₂、Ta₃AlC₂或Zr₃AlC₂。