[发明专利]使用异质电源的带隙基准电路和具有该电路的电子设备

权利要求书

1.一种带隙基准电路，包括：

第一电流发生器，被配置为生成与温度成比例的第一电流；

第二电流发生器，被配置为将通过对第一电流进行镜像而获得的第二电流输出到形成参考电压的第一节点；

第一电阻器，所述第一电阻器与第一节点连接并被提供有第二电流；以及

第一双极结型晶体管BJT，所述第一BJT包括与所述第一电阻器连接的发射极节点、被提供有第一电源的基极节点、以及被提供有与所述第一电源不同的第二电源的集电极节点。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第一电源是用于模拟域中的信号处理的模拟接地。

3.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第二电源是用于数字域中的信号处理的数字接地。

4.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第一BJT的基极节点与第一焊盘连接，以及所述第一BJT的集电极节点与第二焊盘连接。

5.根据权利要求4所述的带隙基准电路，其中所述第一焊盘通过第一焊盘接合与接口模块的第一引脚连接，

其中第二焊盘通过第二焊盘接合与所述接口模块的第二引脚连接，

其中第一引脚通过第一引脚连接与设置模块的公共接地连接，以及

其中第二引脚通过第二引脚连接与设置模块的公共接地连接。

6.根据权利要求1所述的带隙基准电路，其中所述第一电流发生器包括：

第二BJT，所述第二BJT包括与第二节点连接的发射极节点；

第二电阻器，所述第二电阻器与第三节点连接；

第三BJT，所述第三BJT包括与所述第二电阻器连接的发射极节点；

放大器，被配置为放大所述第二节点的电压和所述第三节点的电压之间的差，以及将放大的结果输出到第四节点；

第一晶体管，所述第一晶体管连接在电源节点和所述第二节点之间，以及被配置为响应于所述第四节点的电压而操作；以及

第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述电源节点和所述第三节点之间，以及被配置为响应于所述第四节点的电压输出所述第一电流。

7.根据权利要求6所述的带隙基准电路，其中所述第二电流发生器包括：

第三晶体管，所述第三晶体管连接在所述电源节点和所述第一节点之间，以及被配置为响应于所述第四节点的电压输出所述第二电流。

8.根据权利要求6所述的带隙基准电路，其中所述第二BJT包括被提供有所述第一电源的基极节点和被提供有所述第二电源的集电极节点，以及

其中所述第三BJT包括被提供有所述第一电源的基极节点和被提供有所述第二电源的集电极节点。

9.根据权利要求8所述的带隙基准电路，其中所述第一BJT到第三BJT是PNP型BJT。

10.根据权利要求1所述的带隙基准电路，还包括：

电流源，所述电流源被配置为基于所述第一节点的参考电压输出参考电流。

11.一种电子设备，包括：

双极结型晶体管BJT，所述BJT形成在半导体衬底处；以及

数字电路，所述数字电路形成在所述半导体衬底处，以及被配置为在数字域中操作，

其中所述BJT包括：

集电极节点，所述集电极节点与所述半导体衬底连接，以及与所述数字电路的数字节点共享第一电源；

基极节点，所述基极节点与通过将第一杂质注入到所述半导体衬底中形成的第一导电区域连接，以及被提供有与所述第一电源不同的第二电源；以及

发射极节点，所述发射极节点与通过将第二杂质注入到第一导电区域中形成的第二导电区域连接，以及与被提供有与来自镜像电流发生器的温度成比例的电流的电阻器连接。