[发明专利]一种耦合封装结构及耦合方法有效
| 申请号： | 202110349619.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN115144967B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 孙杰;孙天博;李中宇;贾晓宁 | 申请（专利权）人： | 北京摩尔芯光半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京睿驰通程知识产权代理事务所(普通合伙) 11604 | 代理人： | 方丁一 |
| 地址： | 100094 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 耦合 封装 结构 方法 | ||
1.一种耦合封装结构，其特征在于，包括：
第一待封装元件，所述第一待封装元件包括第一光芯片、位于所述第一光芯片中的第一波导，所述第一待封装元件还包括第一耦合端面和切割端面，在所述第一耦合端面一侧，所述第一波导的侧面与所述第一耦合端面齐平，所述切割端面突出所述第一耦合端面；
第二待封装元件，所述第二待封装元件包括位于第二封装元件底部的衬底、位于所述衬底一侧的待耦合结构以及第一保护层，所述第一保护层位于所述第二待封装元件的顶部且包裹所述待耦合结构，所述待耦合结构突出所述第一保护层设置；
所述第二待封装元件以倒装方式与所述第一待封装元件封装，以使所述第一波导与所述待耦合结构的侧面接触。
2.根据权利要求1所述的耦合封装结构，其特征在于，还包括：
载体；
所述第一待封装元件和所述第二待封装元件均设置于所述载体的同一侧。
3.根据权利要求2所述的耦合封装结构，其特征在于，还包括：
位于所述载体与所述第一保护层之间的高度调节层；
所述高度调节层用于配合所述第一保护层将所述待耦合结构与所述第一波导设置在同一表面内。
4.根据权利要求3所述的耦合封装结构，其特征在于，所述高度调节层的材料包括环氧树脂。
5.根据权利要求2所述的耦合封装结构，其特征在于，所述载体包括印制电路板或陶瓷板。
6.根据权利要求1所述的耦合封装结构，其特征在于，所述第二待封装元件包括光纤阵列；
所述衬底包括：位于第二待封装元件底部的衬底；
所述第一保护层包括：位于第二待封装元件顶部的包层；
所述待耦合结构包括：多根光纤，所述多根光纤被所述第一保护层包裹；
所述待耦合结构的一端突出所述第一保护层设置。
7.根据权利要求6所述的耦合封装结构，其特征在于，所述切割端面突出所述第一耦合端面的距离小于所述光纤的一端突出所述光纤阵列包层的距离。
8.根据权利要求1所述的耦合封装结构，其特征在于，所述第二待封装元件包括预设光芯片，所述预设光芯片至少包括光纤阵列、PLC芯片；
所述衬底包括第二光芯片；
所述待耦合结构包括第二波导；
所述第二波导位于所述第一保护层与所述第二光芯片之间，且所述第二波导突出所述第一保护层设置。
9.根据权利要求8所述的耦合封装结构，其特征在于，所述切割端面突出所述第一耦合端面的距离小于所述第二波导突出所述第一保护层的距离。
10.一种耦合方法，其特征在于，包括：
提供第一待封装元件和第二待封装元件，其中，所述第一待封装元件包括第一光芯片、位于所述第一光芯片中的第一波导，所述第一待封装元件还包括第一耦合端面和切割端面，在所述第一耦合端面一侧，所述第一波导的侧面与所述第一耦合端面齐平，所述切割端面突出所述第一耦合端面；所述第二待封装元件包括位于第二封装元件底部的衬底、位于所述衬底一侧的待耦合结构以及第一保护层，所述第一保护层位于所述第二封装元件的顶部且包裹所述待耦合结构，所述待耦合结构突出所述第一保护层设置；
以倒装方式将第二待封装元件与所述第一待封装元件封装，以使所述第一波导与所述待耦合结构的侧面紧密接触。
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