[发明专利]硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1、硼掺杂石墨烯/钯纳米材料的制备：

将硼掺杂石墨烯分散液置于圆底烧瓶中，通氮气后，向硼掺杂石墨烯分散液中加入氯钯酸钾溶液与之混合得到混合溶液，将混合溶液置于敞口冰浴及搅拌的条件下进行反应，反应后进行离心处理，将离心出的固体洗涤、干燥；

步骤2、修饰液的配制：

将步骤1制备得到的固体超声分散在去离子水中得到修饰液；

步骤3、玻碳电极的处理：

取一根玻碳电极，将玻碳电极表面进行打磨处理，对玻碳电极进行清洗，吹干备用；

步骤4、硼掺杂石墨烯/钯纳米玻碳修饰电极的制备：

取上述制备好的修饰液均匀滴涂在步骤3处理后的玻碳电极表面，并迅速将烧杯倒扣在玻碳电极上方，在室温条件下使其表面的溶液缓慢挥发至干，即得。

2.根据权利要求1所述的一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤1中，硼掺杂石墨烯分散液的浓度为2～4mg·mL^-1；通氮气的时间为10～30min；氯钯酸钾溶液的浓度为10～50mM；硼掺杂石墨烯分散液与氯钯酸溶液的体积比为10：1。

3.根据权利要求1所述的一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤1中，混合溶液置于敞口冰浴中的反应时间为30～40min；离心的转速为11000～14000rpm；采用去离子水洗涤离心出的固体3～6次；真空干燥温度为40～60℃，干燥时间为12-24h。

4.根据权利要求1所述的一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤2中，配置的修饰液浓度为2～4mg·mL^-1。

5.根据权利要求1所述的一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤3中，将打磨后的玻碳电极表面经电化学工作站检测循环伏安曲线的峰电位差值为70-90mV。

6.根据权利要求1所述的一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器的制备方法，其特征在于，步骤4中，修饰液的用量为2-6μL。

7.一种硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器，其特征在于，采用权利要求1-6任意一项方法制备得到。

8.根据权利要求1-6任意一项所述方法制备得到的硼掺杂石墨烯/钯纳米电化学传感器用于检测过氧化氢的应用。