[发明专利]一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，包括输入阻抗匹配网络、放大级、差分输出级和负载级；

输入阻抗匹配网络由隔直电容C1-C2、栅极电感L1-L2和电阻R1-R2组成；隔直电容C1的一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的第一频段输入端RFin1，电阻R1的一端接第一偏置电压Vbias1，栅极电感L1的一端连接隔直电容C1和电阻R1的另一端，栅极电感L1的另一端连接放大级的NMOS管N1的栅极；隔直电容C2的一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的第二频段输入端RFin2，电阻R2的一端接第二偏置电压Vbias2，栅极电感L2的一端连接隔直电容C2和电阻R2的另一端，栅极电感L2的另一端连接放大级的NMOS管N2的栅极；

放大级由NMOS管N1-N4以及隔直电容C3和隔直电容C4组成；NMOS管N1漏极连接电感L3的一端以及隔直电容C3和隔直电容C4的一端，NMOS管N1源极接地线；NMOS管N3的栅极连接电阻R3的一端和隔直电容C3的另一端，电阻R3的另一端接第一偏置电压Vbias1，NMOS管N3漏极和NMOS管N4漏极连接差分输出级的电感L4的一端，NMOS管N3源极接地线；NMOS管N2漏极连接电感L3的一端以及隔直电容C3和隔直电容C4的一端，NMOS管N2源极接地线；NMOS管N4的栅极连接电阻R4的一端和隔直电容C4的另一端，电阻R4的另一端接第二偏置电压Vbias2，NMOS管N4漏极和NMOS管N3漏极连接差分输出级的电感L4的一端，NMOS管N4源极接地线；

差分输出级由NMOS管N5-N6、电感L3-L4、电阻R5-R6和隔直电容C5-C6；NMOS管N5的源极接电感L3的另一端，NMOS管N5的漏极接隔直电容C5和负载级的电阻R7的一端；NMOS管N5的栅极接电阻R5的一端；NMOS管N6的源极接电感L4的另一端，NMOS管N6的漏极接隔直电容C6和负载级的电阻R8的一端；NMOS管N6的栅极接电阻R6的一端；隔直电容C5的另一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的输出端口RFout-，隔直电容C6的另一端形成该差分输出的数控双频低噪声放大器电路的输出端口RFout+；电阻R5的一端接第三偏置电压Vbias3,电阻R6的另一端接第三偏置电压Vbias3；

负载级由电阻R7和电阻R8组成；电阻R7的另一端接电源VDD；电阻R8的另一端接电源VDD。

2.根据权利要求1所述的一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，开关控制模块由NMOS管N12-N13、PMOS管P1和PMOS管P2组成；

NMOS管N12的栅极和PMOS管P1的栅极相连，并形成开关控制模块的开关控制端K0；

NMOS管N12的漏极和PMOS管P1的漏极以及NMOS管N13的栅极和PMOS管P2的栅极相连，形成开关控制模块的开关控制端K1；

NMOS管N13的漏极和PMOS管P2的漏极相连，形成开关控制模块的开关控制端K2；

NMOS管N12的源极和NMOS管N13的源极接地线，PMOS管P1的源极和PMOS管P2的源极接电源VDD。

3.根据权利要求2所述的一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，第一电流镜由NMOS管N8、NMOS管N10和电阻R10组成；

NMOS管N8的栅极和漏极以及NMOS管N10的源极相连，并输出第一偏置电压Vbias1；NMOS管N10的漏极接电阻R10的一端，NMOS管N10的栅极接开关控制模块的控制开关端K1；NMOS管N8的源极接地线；电阻R10的另一端接电源VDD。

4.根据权利要求2所述的一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，第二电流镜由NMOS管N9、NMOS管N11和电阻R11组成；

NMOS管N9的栅极和漏极以及NMOS管N11的源极相连，并输出第二偏置电压Vbias2；NMOS管N11的漏极接电阻R11的一端，NMOS管N11的栅极接开关控制模块的的控制开关端K2；NMOS管N9的源极接地线；电阻R11的另一端接电源VDD。

5.根据权利要求2所述的一种差分输出的数控双频低噪声放大器电路，其特征是，第三电流镜由NMOS管N7和电阻R9组成；

NMOS管N7的栅极和漏极以及电阻R9的一端相连，并输出第三偏置电压Vbias3；NMOS管N7的源极接地线；电阻R9的另一端接电源VDD。