[发明专利]具有旁路电流路径的传感器装置和所对应的生产方法

权利要求书

1.一种传感器装置，包括：

导电的芯片载体，包括汇流排、第一端子和第二端子；以及

差分磁场传感器芯片，被布置在所述芯片载体上并且具有两个传感器元件；

其中所述汇流排的形状被构造为使得从所述第一端子穿过所述汇流排延伸至所述第二端子的测量电流路径包括主电流路径和旁路电流路径，其中所述主电流路径和所述旁路电流路径相互平行地延伸，并且流过所述旁路电流路径的旁路电流小于流过所述主电流路径的主电流，并且

其中所述磁场传感器芯片被设置为检测由所述旁路电流感应的磁场。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述汇流排沿所述旁路电流路径在所述芯片载体上没有接触电阻。

3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述汇流排被制造为集成的一体式构件。

4.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述主电流路径和所述旁路电流路径由被构造在所述汇流排中的开口相互分隔开。

5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，所述传感器装置还包括：

封装材料，所述封装材料至少部分地将所述磁场传感器芯片和所述汇流排封装，其中所述旁路电流路径在所述封装材料之内延伸。

6.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述磁场传感器芯片被布置在所述旁路电流路径上方。

7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件之间的连接线以基本上垂直于所述旁路电流路径的方式延伸并且与所述旁路电流路径相交。

8.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件之间的连接线以基本上平行于所述主电流路径的方式延伸。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件之间的连接线以基本上垂直于所述主电流路径的方式延伸。

10.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件包括两个霍尔传感器元件，其中所述旁路电流路径在所述两个霍尔传感器元件之间延伸。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的传感器装置，其中所述两个传感器元件包括两个xMR传感器元件，所述两个xMR传感器元件被布置在所述旁路电流路径上方。

12.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，所述传感器装置还包括：

开关，所述开关被设置为：在由所述旁路电流感应的磁场的强度超过预定的阈值的情况下，在所述磁场传感器芯片的差分测量运行与所述磁场传感器芯片的非差分测量运行之间进行切换。

13.根据权利要求12所述的传感器装置，其中所述磁场传感器芯片的所述非差分测量运行由所述两个传感器元件中的一个传感器元件提供。

14.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述芯片载体的所述第一端子和所述第二端子中的至少一个端子包括连接导体，其中所述连接导体具有渐缩部。

15.一种用于制造传感器装置的方法，其中所述方法包括：

构造导电的芯片载体，所述芯片载体包括汇流排、第一端子和第二端子；以及

将具有两个传感器元件的差分磁场传感器芯片布置在所述芯片载体上，

其中所述汇流排的形状被构造为使得从所述第一端子穿过所述汇流排延伸至所述第二端子的测量电流路径包括主电流路径和旁路电流路径，其中所述主电流路径和所述旁路电流路径相互平行地延伸，并且流过所述旁路电流路径的旁路电流小于流过所述主电流路径的主电流，并且

其中所述磁场传感器芯片被设置为检测由所述旁路电流感应的磁场。