[发明专利]粘接胶带

说明书

本发明提供一种粘接胶带，包括：基膜，所述基膜的热膨胀系数在4.5至15ppm/℃的范围内；和粘接层，所述粘接层包含结晶度等于或小于10％且在150‑300℃的弹性模量介于10至100MPa之间的聚醚醚酮。根据本发明的技术方案的粘接胶带在用于半导体器件的后端封装过程中能够有效地避免发生芯片倾斜、封装材料溢料、残胶污染、引线框架翘曲等问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体而言，本发明提供一种粘结胶带，更具体地，一种尤其适用于半导体器件的后端封装的粘结胶带。

背景技术

过去通常采用下列工艺对半导体器件进行封装：首先利用银糊等粘结剂将半导体元件粘接在压料垫中，然后通过引线使其与引线框架接合，然后将除了外部接线用的后引线之外的其他部分全部用封装材料(例如，环氧树脂)封装。

近年来，为了实现封装半导体器件的小面积化、轻薄化等优点，逐渐开发了方形扁平无引脚封装(QFN)工艺。图1显示了常规QFN工艺的一般流程。具体地，在步骤1中，将粘接胶带贴附到引线框架的一个表面上。在步骤2中，通过芯片附着材料(例如，银糊)将芯片附着到引线框架一侧上的芯片垫上。在步骤3(打线工序)中，在高温(例如，180至240℃)下，采用引线(例如，金线或铜线)将芯片与引线框架连接以得到组件。在步骤4中，对连接好的组件进行等离子体处理，以清洁引线框架的表面并且增强组件与随后施加的封装树脂之间的粘合强度。在步骤5中，采用封装材料(例如，环氧树脂)在组件的芯片组装侧封装所述组件并且进行固化处理。在步骤6中，将粘接胶带从组件剥离。在步骤7中，对除去了粘接胶带的组件进行分割，以得到单独的封装半导体器件。QFN工艺中采用的粘接胶带的特定性质对QFN工艺至关重要。

因此，开发一种新的用于半导体器件的后端封装的粘结胶带具有重要的意义。

发明内容

从以上阐述的技术问题出发，本发明的目的是提供一种粘接胶带，所述粘结胶带在用于半导体器件的封装过程中能够有效地避免发生芯片倾斜、封装材料溢料、残胶污染、引线框架翘曲等问题。

本发明人经过深入细致的研究，完成了本发明。

根据本发明的一个方面，提供了一种粘接胶带，包括：

基膜，所述基膜的热膨胀系数在4.5至15ppm/℃的范围内；和

粘接层，所述粘接层包含结晶度等于或小于10％且在150-300℃的弹性模量介于10至100MPa之间的聚醚醚酮。

根据本发明的某些优选实施方案，所述基膜为耐热基膜。

根据本发明的某些优选实施方案，所述基膜为聚酰亚胺膜。

根据本发明的某些优选实施方案，所述聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度在300℃以上。

根据本发明的某些优选实施方案，所述基膜的厚度在5至50μm的范围内。

根据本发明的某些优选实施方案，所述基膜与所述粘接层彼此贴合。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘接层不含环氧树脂反应性基团。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘接层不含羧基、酸酐基、胺基、酰胺基、氨基甲酸酯基、异氰酸酯基、环氧基、羟基或硫醇基。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘接层的厚度在6至50μm的范围内。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘接胶带还包括粘合剂层，所述粘合剂层位于所述基膜和所述粘接层之间。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘接胶带依次包括彼此接触的基膜、粘合剂层和粘接层。

根据本发明的某些优选实施方案，所述粘合剂层包含压敏粘合剂或半结构粘合剂。