[发明专利]一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路

权利要求书

1.一种用于提高电路稳定性的电阻调节电路，其特征在于，包括：

电流采样单元，用于采集稳定性待提高的电路的输出电流；

电阻调节单元，用于根据采集的所述稳定性待提高的电路的输出电流对预定的目标电阻的所在支路的总电阻进行调节，所述调节用于防止所述目标电阻上的电流随所述输出电流变化；

所述目标电阻为所述稳定性待提高的电路中的因自身电流随所述输出电流变化而影响所述稳定性待提高的电路稳定性的电阻；

所述电流采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；

所述第一PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连，所述第一PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的电流输出端相连，所述第一PMOS管的漏极同时与所述第一NMOS管的漏极和栅极以及所述第二NMOS管的栅极相连；

所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与电源地相连；

所述第二NMOS管的漏极同时与所述第二PMOS管的漏极和栅极相连，所述第二NMOS管的漏极、所述第二PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的栅极的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；

所述第二PMOS管的源极同时与所述第三PMOS管的漏极和栅极相连，所述第三PMOS管的源极与所述稳定性待提高的电路的电源相连；

所述电阻调节单元包括第一电阻和第四PMOS管；

所述第一电阻串接入所述目标电阻的所在支路；

所述第四PMOS管的源极与所述第一电阻的电流流入端相连，所述第四PMOS管的漏极与所述第一电阻的电流流出端相连，所述第四PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连；

所述稳定性待提高的电路为三级放大电路，所述三级放大电路包括第一输入级、中间级和第一输出级；

所述第一输入级为CMOS差分放大电路，所述中间级和第一输出级均采用MOS管实现；

在所述第一输入级与所述中间级之间设置有用于实现所述第一输入级与所述中间级之间跨阻放大的电阻，该电阻为所述目标电阻；

或者，

所述电流采样单元包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管；所述第三NMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第一电流输出端相连，所述第三NMOS管的源极同时与电源地和所述第四NMOS管的源极相连，所述第三NMOS管的漏极同时与所述第五PMOS管的栅极和漏极以及所述第六PMOS管的栅极相连；

所述第四NMOS管的栅极和漏极均与所述第五NMOS管的源极相连，所述第五NMOS管的栅极和漏极均与所述第六PMOS管的漏极相连，所述第五NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的漏极以及所述第六PMOS管的漏极的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；

所述第五PMOS管的源极和所述第六PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连；

所述电阻调节单元为第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第六NMOS管的源极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第六NMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连；

所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第二输入级和第二输出级；

所述第二输出级包括第七PMOS管和第七NMOS管，所述第七PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第七PMOS管的漏极与所述第七NMOS管的漏极相连，所述第七NMOS管的源极与电源地相连；所述第七PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极连接于所述目标电阻的输入端；

所述第七PMOS管和所述第七NMOS管分别配置有第一密勒补偿电路和第二密勒补偿电路；

所述第二密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻；

或者，

所述电流采样单元包括第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管；

所述第八PMOS管的栅极与所述稳定性待提高的电路的第二电流输出端相连，所述第八PMOS管的漏极同时与所述第八NMOS管的漏极和栅极以及所述第九NMOS管的栅极相连；

所述第八NMOS管的源极和所述第九NMOS管的源极均与电源地相连；

所述第九NMOS管的漏极同时与所述第九PMOS管的漏极和栅极相连，所述第九NMOS管的漏极、所述第九PMOS管的漏极以及所述第九PMOS管的栅极的公共端为所述电流采样单元的镜像电流输出端；

所述第九PMOS管的源极同时与所述第十PMOS管的漏极和栅极相连；

所述第十PMOS管的源极和所述第八PMOS管的源极均与所述稳定性待提高的电路的电源相连；

所述电阻调节单元为第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与所述目标电阻的电流流入端相连，所述第十一PMOS管的漏极与所述目标电阻的电流流出端相连，所述第十一PMOS管的栅极与所述电流采样单元的镜像电流输出端相连；

所述稳定性待提高的电路为AB类两级放大电路，所述AB类两级放大电路包括第三输入级和第三输出级；

所述第三输出级包括第十二PMOS管和第十NMOS管，所述第十二PMOS管的源极与所述AB类两级放大电路的电源相连，所述第十二PMOS管的漏极与所述第十NMOS管的漏极相连，所述第十NMOS管的源极与电源地相连；所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极连接于所述目标电阻的输入端；所述第十二PMOS管和所述第十NMOS管分别配置有第三密勒补偿电路和第四密勒补偿电路；

所述第三密勒补偿电路中的密勒补偿电阻为所述目标电阻。