[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.制造半导体器件的方法，包括：

在基板上方形成包括含金属的光致抗蚀剂的多层光致抗蚀剂结构，

其中所述多层光致抗蚀剂结构包括两个或更多个具有不同物理参数的含金属的光致抗蚀剂层，

其中所述含金属的光致抗蚀剂是第一前体和第二前体的反应产物，并且

其中使用不同的光致抗蚀剂层形成参数，形成多层光致抗蚀剂结构的每一层，

其中，所述不同的光致抗蚀剂层形成参数是选自由以下组成的组中的一个或多个：第一前体、第一前体的量、第二前体、第二前体的量、每个光致抗蚀剂层形成操作的时间长度以及光致抗蚀剂层的加热条件；

选择性地将所述多层光致抗蚀剂结构暴露于光化辐射以形成潜在图案；并且

通过将显影剂施加到选择性暴露的多层光致抗蚀剂结构上以形成图案来使所述潜在图案显影。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光化辐射是极紫外辐射。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在将所述多层光致抗蚀剂结构选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案之后，并且在使所述潜在图案显影之前，将所述多层光致抗蚀剂结构在50℃至250℃的温度下进行暴露后加热。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成每个层之后，在50℃至200℃范围的温度下加热每个光致抗蚀剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂层的所述不同物理参数包括不同的交联密度或不同的光致抗蚀剂层厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多层光致抗蚀剂结构通过化学气相沉积或原子层沉积形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述多层光致抗蚀剂结构包括覆盖所述基板的第一光致抗蚀剂层和覆盖所述第一光致抗蚀剂层的第二光致抗蚀剂层，

所述光致抗蚀剂层是第一前体和第二前体的反应产物，

通过组合具有第一浓度的第二前体和第一前体形成所述第一光致抗蚀剂层，

通过组合具有第二浓度的第二前体和第一前体形成所述第二光致抗蚀剂层，以及

所述第二前体的第一浓度和第二浓度彼此不同。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述第二光致抗蚀剂层上方形成第三光致抗蚀剂层，

其中，通过组合具有第三浓度的第二前体和第一前体形成所述第三光致抗蚀剂层，并且

所述第三浓度不同于所述第一浓度和所述第二浓度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中改变在所述基板上形成所述多层光致抗蚀剂结构期间存在的H₂O的量，以提供具有不同物理参数的所述两个或更多个光致抗蚀剂层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述两个或更多个光致抗蚀剂层具有不同的厚度。