[发明专利]一种非连续基底结构声表面波滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种非连续基底结构声表面波滤波器，包括以下结构：

1)衬底层；

2)设置在所述衬底层上的压电薄膜层和其中包含的声阻抗非连续层；

3)设置在所述压电薄膜层上的叉指换能器。

2.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述衬底层为硅、锗、砷化镓、碳化硅、蓝宝石、氮化镓或氮化铝。

3.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述压电薄膜层为AlN压电薄膜，或者掺杂Sc、Cr、Er中一种或多种元素的AlN压电薄膜。

4.根据权利要求3所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述AlN压电薄膜或者掺杂AlN压电薄膜的厚度为100nm-10um。

5.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述声阻抗非连续层的材料为低声速材料、高声速材料以及中空结构。

6.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述声阻抗非连续层所在区域为均匀结构、渐变性结构或者周期性变化结构。

7.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述声阻抗非连续层为单层或多层结构。

8.根据权利要求1所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述叉指换能器的电极材料为电极层的材料，包括Al、Pt、Ti、Au、Mo或者W。

9.根据权利要求8所述的非连续基底结构声表面波滤波器，其特征在于，所述电极层厚度为30nm-2um。

10.如权利要求1-9任一项所述的非连续基底结构声表面波滤波器的制备方法，其特征在于：

所述压电薄膜层采用反应式磁控溅射技术制备或者反应式磁控溅射技术结合高温热处理技术制备，所述反应式磁控溅射技术的制备条件如下：反应室压力为0.1-5pa，氮气流量为5-500sccm，氩气流量为5-500sccm，溅射功率为0.1-15KW，温度100-1000℃；所述高温热处理技术的制备条件如下：热处理温度1000-1800℃，真空或通保护气Ar、N₂、H₂一种或多种组合气体至压力0.5-10atm，保温时长0.1-10h。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，制备采用的靶材为Al靶材，或着掺杂Sc、Cr、Er中一种或多种元素的合金Al靶材。