[发明专利]原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法

权利要求书

1.一种原位控制合成溴铅铯三元化合物半导体光电薄膜材料的化学方法，将溴化铯与氢溴酸的有机溶液旋涂于金属单质铅薄膜的基底材料，160-250℃下加热处理，原位反应制得溴铅铯三元化合物薄膜材料。

2.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所使用的溴化铯（CsBr）与氢溴酸(HBr)摩尔比为2:1-1:2。

3.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：体系中溴化铯的终浓度为0.1M-0.2M。

4.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：铅薄膜通过溅射得到，使用的溅射方法为直流磁控溅射，金属铅单质的厚度为20-60nm。

5.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：旋涂剂量为35-45μl/cm²前驱体溶液，旋涂转速为：2000-3000rpm。

6.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：160-250℃加热处理时间为20min以上。

7.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：溴化铯与氢溴酸的有机溶液旋涂于金属单质铅薄膜的基底材料上，160-250℃下加热处理步骤重复多次，使铅单质反应完全。

8.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的基底材料为FTO导电玻璃或普通载玻片。

9.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述溴化铯与氢溴酸的有机溶液配置中所使用的有机溶剂为甲醇。

10.根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述溴化铯（CsBr）与氢溴酸(HBr)摩尔比为1:2；体系中溴化铯的终浓度为0.1-0.15M；金属铅单质的厚度为20-40nm。