[发明专利]一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法

说明书

本发明涉及陶瓷基板的制备领域，提供一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氧化铝陶瓷基板制备过程中噪音大、容易团聚、粒径分布不匀一及纯度不高的缺陷，包括以下制备步骤：(1)改性氧化铝颗粒；(2)球磨处理；(3)真空除泡、流延成型、干燥、脱模得到流延生坯、冲片、排胶、烧结。

技术领域

本发明涉及陶瓷基板的制备领域，尤其涉及一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法。

背景技术

陶瓷与金属材料及高分子材料并列为当代固体的三大材料，其在建筑、化工、电气、航天、汽车及生物医学领域均有重要的应用。氧化铝陶瓷作为最常见的陶瓷之一，由于其具有较高的机械强度、硬度、抗损毁性及较高的热导率，在电子技术领域中得到了广泛的应用，例如，被广泛应用作半导体集成电路陶瓷封装管壳、真空电容器的陶瓷管壳、大功率栅控金属陶瓷管等。

氧化铝陶瓷通常以配料或瓷体中的氧化铝的含量来分类，目前分为高纯型和普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系氧化铝含量在99.9％以上的陶瓷材料，普通型氧化铝陶瓷系氧化铝按含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时氧化铝含量在80％或者75％的也划为普通型氧化铝陶瓷系列。高纯氧化铝陶瓷主要是用于制作高温坩埚、耐火管及特殊耐磨材料，如陶瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等。

世界范围内制备高纯氧化铝陶瓷的原料主要依赖法国BAIKOWSKI、日本住友化学工业和大明化学等公司。他们的粉体平均粒径小，粒度分布均匀，杂质含量极低，适于制备细晶粒或透明氧化铝陶瓷。在制备细晶高强高纯氧化铝陶瓷过程中，对原料粉体的要求非常严格，必须以无团聚的高纯度亚微米或纳米级α-Al2O3粉体为原料。实际上目前报导的细晶高强高纯氧化铝陶瓷几乎完全采用了日本大明化学株式会社生产的TM-DAR型低团聚高烧结活性α-Al2O3粉体为原料。同时为了实现低温烧结、控制晶粒长大，获得高性能氧化铝陶瓷，几乎都是采用热压、热等静压或放电等离子体烧结等特殊烧结工艺，如中国专利CN1304903A提出采用真空热压烧结工艺，在1500～1650℃下烧结得到的氧化铝陶瓷抗弯强度达到610～660MPa。A.Krell则采用热等静压工艺制备出相对密度高于99.95％的亚微米晶氧化铝陶瓷，抗弯强度达到709±49MPa。赵喆(中国专利CN101306943A)和高濂(中国专利CN101624290A)等人都是采用放电等离子体烧结工艺制备出了高性能的氧化铝透明陶瓷。和无压烧结工艺相比，以上工艺需要特殊的烧结设备，投资大成本高，不适合大规模的工业化生产。

另外，现有氧化铝在进行加工生产时，需要利用球磨装置对氧化铝进行研磨作业，将氧化铝研磨成粉末，但是在球磨装置内的研磨球在对氧化铝进行研磨过程中，研磨球与物料的撞击摩擦会产生大量的热量，而被球磨的物料受热容易粘附在料筒的内壁上，而且物料也容易因受热而发生变质，进而影响物料的加工质量。另外，现有的球磨机在制作氧化铝时由于球与物料的撞击，导致噪音污染严重。

中国专利申请号202010975290.7公开了一种高纯氧化铝陶瓷基板的制备方法，包括如下步骤：S1、料浆配制：将重量份数为99-99.5份的高纯氧化铝粉、重量份数为0.5-1份的烧结助剂放入球磨机中，以水为溶剂，加入水溶性分散剂，研磨混合，得到陶瓷料浆；S2、成型：将所述陶瓷料浆真空除泡后装入料浆桶，加入催化剂和引发剂，搅拌均匀，将所述料浆桶接入气源，开启气源对所述料浆桶中的陶瓷料浆施加压力以控制所述料浆桶中的陶瓷料浆通过连通所述料浆桶和模具底部的注浆口的连通管自模具底部的注浆口注入模具内，以使陶瓷料浆在模具内自下而上流动直至陶瓷料浆注满模具，固化后脱模，得到陶瓷坯体；S3、切片：烘干所述陶瓷坯体，将烘干后的陶瓷坯体软化，切制成坯片，自然干燥；S4、烧结：将S3步骤处理后的坯片烧结，复平，得到陶瓷基板。其将料浆由模具底部自下而上注入模具，避免了料浆中比重高的物料沉积到模具底部引起坯体密度差大、成型缺陷大的问题，但是其对物料的球磨并没有进行改进。

发明内容

因此，针对上述的问题，本发明提供一种996氧化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术的氧化铝陶瓷基板制备过程中噪音大、容易团聚、粒径分布不匀一及纯度不高的缺陷。