[发明专利]一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法有效

专利信息
申请号: 202110321383.2 申请日: 2021-03-25
公开(公告)号: CN113086985B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 张国华;常贺强 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C01B33/06 分类号: C01B33/06
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 朱艳华
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 无含硫 气体 排放 低成本 制备 硅化钼 方法
【权利要求书】:

1.一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法,其特征在于,将钼源和还原剂按照一定比例混匀并压制成型作为内层样品,其次在内层样品表面覆盖一层一定量的脱硫剂,并在高温1100-1600oC惰性气氛条件下反应0.5-10h,当样品反应完成并冷却至室温后剥离外部脱硫层,即得到硅化钼;

所述的钼源和还原剂的配料比为钼源中MoS2的实际含量与还原剂中Si的实际含量的摩尔比是1:2.33-1:4;所述脱硫剂的用量为钼源中MoS2中的硫元素全部以CaS形式被固定时所需理论量的1-4倍,其理论量是MoS2与CaO的摩尔比1:2。

2.根据权利要求 1所述的一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法,其特征在于,所述钼源为以MoS2为主要成分的物质,包括辉钼矿、钼精矿或二硫化钼试剂;所述还原剂以Si为主要成分的物质。

3.根据权利要求 1所述的一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法,其特征在于,所述剥离外部脱硫层包括脱硫层的破碎和分离两步。

4.根据权利要求 1或3所述的一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法,其特征在于,脱硫剂在高温下的脱硫反应方程式如下:

2CaO+2SiS=2CaS+Si+SiO2 (1)

2CaO+SiS2=2CaS+SiO2 (2)。

5.根据权利要求 1所述的一种无含硫气体排放的低成本制备硅化钼的方法,其特征在于,所述得到的硅化钼为MoSi2、Mo5Si3或Mo3Si。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110321383.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top