[发明专利]双配体材料提高CsPbIBr2

权利要求书

1.一种双配体材料提高CsPbIBr₂多晶膜质量以降低CsPbIBr₂探测器暗电流的方法，其特征在于：通过在CsPbIBr₂前驱体混合溶液中添加两种配体材料：卵磷脂和硫氰酸铵，在相对湿度不高于60％的大气环境下，制备出结构稳定、表面平整的CsPbIBr₂多晶膜，并应用于紫外光电探测领域中，同时应用于X射线探测领域；

所述双配体材料提高CsPbIBr₂多晶膜质量以降低CsPbIBr₂探测器暗电流的方法，包括如下步骤：

(1)工艺环境选取：

控制大气环境相对湿度不高于60％；

(2)衬底预处理：

将氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底分别在丙酮、乙醇、去离子水中各超声清洗至少15min；然后使氧化铟锡衬底通过氮气吹干后，再进行紫外臭氧预处理至少15min，得到洁净的氧化铟锡衬底，备用；

(3)配体材料溶液制备：

取设定量卵磷脂溶解于无水乙醇中，室温搅拌至少5h后，待用，作为配体材料1；

将硫氰酸铵直接使用，无需进一步处理，作为配体材料2；

(4)CsPbIBr₂前驱体混合溶液的制备：

(4-1)分别将1mol的PbBr₂和1mol的CsI溶解在2.9mL和3.4mL的DMSO溶剂中，分别作为CsPbIBr₂前驱体溶液1和CsPbIBr₂前驱体溶液2；然后将CsPbIBr₂前驱体溶液1和CsPbIBr₂前驱体溶液2分别置于磁力搅拌器上，恒温下搅拌，直至完全溶解为澄清透明溶液；然后将CsPbIBr₂前驱体溶液1和CsPbIBr₂前驱体溶液2混合加入至少6.3mL的DMF中，恒温下搅拌至少4h，作为CsPbIBr₂前驱体混合溶液1；

(4-2)取设定量的配体材料1加入CsPbIBr₂前驱体混合溶液1中，在室温下搅拌至少12h，作为CsPbIBr₂前驱体混合溶液2；

(4-3)然后取设定量的配体材料2加入CsPbIBr₂前驱体混合溶液1，在室温下搅拌至少4h，作为CsPbIBr₂前驱体混合溶液3；

(4-4)然后取设定量的CsPbIBr₂前驱体混合溶液3加入CsPbIBr₂前驱体混合溶液2，在室温下搅拌至少4h，作为CsPbIBr₂前驱体混合溶液4；

(5)CsPbIBr₂多晶膜的制备：

将在所述步骤(1)中处理完毕的氧化铟锡衬底置于预热的加热台上，使用喷涂机喷涂CsPbIBr₂前驱体混合溶液4，制备出CsPbIBr₂多晶膜；

根据CsPbIBr₂多晶膜厚度和质量要求，设定使用前驱体混合溶液的剂量、喷涂机的喷涂速率和加热台的退火条件，实现在相对湿度不大于60％的大气环境下，制备结构稳定、表面平整的CsPbIBr₂多晶膜。

2.根据权利要求1所述双配体材料提高CsPbIBr₂多晶膜质量以降低CsPbIBr₂探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(3)中，配体材料1的浓度为5-30mg/mL。

3.根据权利要求1所述双配体材料提高CsPbIBr₂多晶膜质量以降低CsPbIBr₂探测器暗电流的方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，配体材料1在CsPbIBr₂前驱体混合溶液2中占总溶液体积的5-30％。