[发明专利]DRAM存储阵列的修复方法及相关设备有效
申请号: | 202110302568.9 | 申请日: | 2021-03-22 |
公开(公告)号: | CN112908397B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 张朝锋;王春娟;王砚 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00 |
代理公司: | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人: | 吴莹 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dram 存储 阵列 修复 方法 相关 设备 | ||
本申请实施例通过提供一种DRAM存储阵列的修复方法及相关设备,用于解决常规的修复过程存在良率缺失的问题。上述方法包括:根据冗余资源和失效超级块,确定所述DRAM存储阵列中的存储块是否满足超级块修复条件,其中,所述超级块修复条件用于判断所述DRAM存储阵列中的冗余资源的数量是否满足所述存储块的失效超级块的修复数量,所述冗余资源和所述失效超级块均属于所述存储块,所述冗余资源为所述存储块中用于修复失效的存储介质,所述存储块中包含有超级块及子块,所述失效超级块为所述存储块中经检测已失效的超级块;若满足所述超级块修复条件,则生成对应的超级块修复方案;根据所述超级块修复方案,对所述DRAM存储阵列中的所述存储块进行修复。
技术领域
本发明实施例涉及芯片技术领域,具体地说,涉及一种DRAM存储阵列的修复方法及相关设备。
背景技术
在芯片中,DRAM存储阵列(Dynamic random access memory,动态随机存取存储阵列,简称DRAM)往往承担着二级缓存以及临时存储的作用,在常规的使用过程中,有时会使用DRAM存储阵列中的存储块内的部分的地址对应的存储介质作为一级缓存使用,或者使用这部分地址作为内部逻辑检测。因此,要求这部分地址对应的存储介质的可靠性等级更高,在修复的过程中也需要对这部分逻辑地址优先修复,因此往往称之为DRAM阵列的存储块中的超级块,而在存储块中,超级块以外的子块,往往要求并没有很高,在很多情况下是允许存储块中有部分子块失效的情况。
目前,常规的修复方式往往是在确定了能够进行修复的冗余资源的数量后,分别与失效的超级块的数量、以及失效的子块数量进行对比,当冗余资源的数量超过失效的超级块的数量和失效的子块的数量时,则认为能够修复并执行修复操作。然而,在实际应用中,现有的修复方式在进行修复时,在一些情况下存在超级块能够修复但剩余的冗余资源不满足其他的失效的子块时,当前的修复方式会将这些仅满足失效的超级块修复的芯片确定为不可修复芯片,但实际上在很多情况下失效的超级块能够全部修复的芯片也是能够作为正常的芯片使用的,这就导致目前常规的修复方式存在将实际上能够满足实际使用的芯片确定的不可修复芯片的情况,从而导致良率损失。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请实施例的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本申请实施例通过提供一种DRAM存储阵列的修复方法及相关设备,以改善修复后的产品良率。
为至少部分地解决上述问题,第一方面,本申请实施例提供了一种DRAM存储阵列的修复方法,包括:
根据冗余资源和失效超级块,确定所述DRAM存储阵列中的存储块是否满足超级块修复条件,其中,所述超级块修复条件用于判断所述DRAM存储阵列中的冗余资源的数量是否满足所述存储块的失效超级块的修复数量,所述冗余资源和所述失效超级块均属于所述存储块,所述冗余资源为所述存储块中用于修复失效的存储介质,所述存储块中包含有超级块及子块,所述失效超级块为所述存储块中经检测已失效的超级块;
若满足所述超级块修复条件,则生成对应的超级块修复方案;
根据所述超级块修复方案,对所述DRAM存储阵列中的所述存储块进行修复。
可选的,在所述根据所述超级块修复方案,对所述DRAM存储阵列中的所述存储块进行修复之前,所述方法还包括:
根据剩余冗余资源和失效子块,确定所述DRAM存储阵列中的存储块是否满足子块修复条件,其中,所述剩余冗余资源为所述冗余资源在去除了满足所述超级块修复条件后的剩余部分,所述失效子块为所述存储块中失效的子块;
若满足所述子块修复条件,则生成对应的子块修复方案;
所述根据所述超级块修复方案,对所述DRAM存储阵列中的所述存储块进行修复,包括:
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