[发明专利]具有温度补偿功能的参考电路在审
申请号: | 202110291261.3 | 申请日: | 2021-03-18 |
公开(公告)号: | CN115113676A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 吕峻耀 | 申请(专利权)人: | 纮康科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 温度 补偿 功能 参考 电路 | ||
1.一种具有温度补偿功能的参考电路,连接至一电源,其特征在于,包含:
一偏压产生电路,产生一第一参考电压以及一第二参考电压;
一电流输出电路,利用一场效晶体管接收该第一参考电压,产生温度变异特性和该偏压产生电路的电流一致的一第一参考电流,并且利用多个场效晶体管与一电阻器接收该第二参考电压,其中该多个场效晶体管皆操作在饱和区,并且产生一第二参考电流,使得该第二参考电流的电流值和场效晶体管的阈值电压呈正相关,并且温度变异特性和该偏压产生电路的电流相反;该第一参考电流和该第二参考电流合并成为一精准电流,并且具有补偿温度变异效应的效果。
2.如权利要求1所述的参考电路,其特征在于,该偏压产生电路包含:
一第一电阻器,其中一端接地;
一第一N型场效晶体管,具有一源极连接至该第一电阻器的另一端;
一第二N型场效晶体管,具有一源极接地,以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第一N型场效晶体管的闸极;
一第三N型场效晶体管,具有一源极连接至该第一N型场效晶体管的汲极;
一第四N型场效晶体管,具有一源极接地,以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的闸极;
一第一P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,以及具有一闸极与一汲极皆连接至该第三N型场效晶体管的汲极;以及
一第二P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极连接至该第一P型场效晶体管的闸极,以及具有一汲极连接至该第四N型场效晶体管的汲极;其中该第一P型场效晶体管的闸极的电压即为该第一参考电压,该第三N型场效晶体管的闸极的电压即为该第二参考电压。
3.如权利要求1所述的参考电路,其特征在于,该电流输出电路包含:
一第五P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极连接至该第一参考电压,以及具有一汲极产生一第一参考电流;
一第六N型场效晶体管,具有一闸极连接至该第二参考电压;
一第二电阻器,一端接地,另一端连接至该第六N型场效晶体管的源极;
一第六P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极以及一汲极皆连接至该第六N型场效晶体管的汲极;以及
一第七P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极连接至该第六P型场效晶体管的闸极,以及具有一汲极产生一第二参考电流,并且连接至该第五P型场效晶体管的汲极。
4.如权利要求3所述的参考电路,其特征在于,能够改变该第五P型场效晶体管、该第六P型场效晶体管或者该第七P型场效晶体管的尺寸,调整第一参考电流或第二参考电流的大小,并且调整该精准电流的大小以及温度变异特性。
5.如权利要求1、2、3或4所述的参考电路,其特征在于,更包含一电压输出电路,包含多个场效晶体管,接收该第一参考电压或该第二参考电压,产生该精准电压;其中该多个场效晶体管皆操作于饱和区,并且该精准电压随着该多个场效晶体管的阈值电压上升,补偿温度变异效应。
6.如权利要求5所述的参考电路,其特征在于,该电压输出电路包含:
一第八P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极连接至该第一参考电压;以及
一第八N型场效晶体管,具有一源极接地,具有一闸极以及一汲极皆连接至该第八P型场效晶体管的汲极,并且以该第八P型场效晶体管以及该第八N型场效晶体管之间的接点做为该精准电压。
7.如权利要求6所述的参考电路,其特征在于,该电压输出电路更包含一第三电阻器,连接于该第八P型场效晶体管与该第八N型场效晶体管之间,或者连接于该第八N型场效晶体管的闸极与汲极之间,并且能够调整该第三电阻器的电阻值、该第八N型场效晶体管的尺寸,以改变该精准电压的电压值。
8.如权利要求5所述的参考电路,其特征在于,该电压输出电路包含:
一第八P型场效晶体管,具有一源极连接至该电源,具有一闸极连接至该第一参考电压;以及
一第九P型场效晶体管,具有一源极连接至该第八P型场效晶体管的汲极,具有一闸极以及一汲极皆接地。
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