[发明专利]一种控制电路、控制方法和电压变换电路

说明书

本发明提出一种控制电路、控制方法和电压变换电路，其中，控制电路包括供电端口、反馈信号端口和参考地端口，控制电路还包括用于形成不同反馈通路的第一开关管，所述第一开关管与反馈信号端口耦接，第一开关管关断时，反馈信号端口与供电端口之间形成第一反馈通路并提供电压反馈信号，第一开关管导通时，反馈信号端口基于第一开关管形成第二反馈通路并提供电压反馈信号。本发明提出的控制电路能够实现兼容光耦高电位连接和低电位连接的闭环反馈，优化系统调试、减少物料成本，提高电源系统的适配性和便利性，提供给用户更多选择空间。

技术领域

本发明涉及电子领域，具体但不限于涉及一种控制电路、控制方法和电压变换电路。

背景技术

光耦反馈主要用于隔离式副边反馈(SSR)控制应用场合，其主要目的在于隔离原、副边电气连接的同时，在原边通过光耦实时获得副边的反馈信号。

在典型应用场合中，SSR光耦反馈以图1所示的耦接电路为主，称之为低电位(Low-Side)连接。其中，光耦的反馈端U1A和接收端U1B反馈和接收的信号比例在典型应用情况下为1：1，即CTR传输比一般设定在1左右。光耦反馈的控制器1内部电路结构如图2所示，即典型的SSR内部上拉，实时采样光耦下拉电流情况下的FB信号用于闭环反馈。

除上述应用场合外，有一部分系统电路采用了如图3所示的另一种反馈接法，称之为高电位(High-Side)连接，光耦的反馈端U1A将输出端反馈信号传送至接收端U1B，接收端U1B通过控制器1连接电路原边，其光耦反馈的控制器1内部控制电路结构如图4所示。对一般相同架构的FB内部调制电路而言，在采用High-Side连接后内部需要组取反操作后才能实现正常的幅频功率调节，且内部或者外部需存在电阻下拉以提供光耦泄放回路。

上述两种架构的光耦连接方式需配合内部不同电路实现，无法在同一个控制电路上同时兼容光耦High-side和Low-side连接，存在产品应用的局限性，对于产品通用性不利。鉴于此，需要提供一种新的控制电路结构或控制方法，以期解决上述至少部分问题。

发明内容

针对现有技术中的一个或多个问题，本发明提出了一种控制电路，实现兼容光耦高电位连接和低电位连接的闭环反馈，优化系统调试、减少物料成本，提高电源系统的适配性和便利性，提供给用户更多选择空间。

实现本发明目的的技术解决方案为：

本发明公开了一种控制电路，用于不同光耦连接架构的闭环反馈，所述控制电路包括供电端口、反馈信号端口和参考地端口，控制电路还包括用于形成不同反馈通路的第一开关管，所述第一开关管与反馈信号端口耦接，第一开关管关断时，反馈信号端口与供电端口之间形成第一反馈通路并提供电压反馈信号，第一开关管导通时，反馈信号端口基于第一开关管形成第二反馈通路并提供电压反馈信号。

在本发明的一实施例中，所述第一开关管为第一场效应晶体管，其栅极接入固定电压源，源极与第二反馈通路耦接，漏极与反馈信号端口耦接，所述固定电压源的输出电压小于供电端口的输出电压。

在本发明的一实施例中，第一开关管为PMOS管。

在本发明的一实施例中，第一反馈通路包括第二开关管和第二电阻，所述第二开关管和第二电阻依次耦接在供电端口与反馈信号端口之间，反馈信号端口通过第三开关管和采样反馈电路接地，第一开关管关断时第二开关管、第三开关管导通，反馈信号端口电压通过第二电阻和第二开关管上拉至供电端口电压；第一开关管导通时第二开关管关断。

在本发明的一实施例中，第二开关管为第二场效应晶体管，栅极接入数字电源供电端口，源极通过第二电阻与反馈信号端口耦接，漏极与供电端口耦接。

在本发明的一实施例中，第二开关管为NMOS管。