[发明专利]一种控制电路、控制方法和电压变换电路有效
申请号: | 202110287039.6 | 申请日: | 2021-03-17 |
公开(公告)号: | CN112865496B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 林官秋;胡长伟;金伟祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市必易微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M3/335 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 向庆宁 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制电路 控制 方法 电压 变换 电路 | ||
1.一种控制电路,其特征在于,用于不同光耦连接架构的闭环反馈,所述控制电路包括供电端口、反馈信号端口和参考地端口,控制电路还包括用于形成不同反馈通路的第一开关管,所述第一开关管与反馈信号端口耦接,第一开关管关断时,反馈信号端口与供电端口之间形成第一反馈通路并提供电压反馈信号,第一开关管导通时,反馈信号端口基于第一开关管形成第二反馈通路并提供电压反馈信号。
2.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,所述第一开关管为第一场效应晶体管,其栅极接入固定电压源,源极与第二反馈通路耦接,漏极与反馈信号端口耦接,所述固定电压源的输出电压小于供电端口的输出电压。
3.根据权利要求1或2所述的控制电路,其特征在于,第一开关管为PMOS管。
4.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,第一反馈通路包括第二开关管和第二电阻,所述第二开关管和第二电阻依次耦接在供电端口与反馈信号端口之间,反馈信号端口通过第三开关管和采样反馈电路接地,第一开关管关断时第二开关管、第三开关管导通,反馈信号端口的电压通过第二电阻和第二开关管上拉至供电端口电压;第一开关管导通时第二开关管关断。
5.根据权利要求4所述的控制电路,其特征在于,第二开关管为第二场效应晶体管,栅极接入数字电源供电端口,源极通过第二电阻与反馈信号端口耦接,漏极与供电端口耦接。
6.根据权利要求4或5所述的控制电路,其特征在于,第二开关管为NMOS管。
7.根据权利要求1所述的控制电路,其特征在于,第二反馈通路还包括电流镜和第三电阻,其中,电流镜的输入级与第一开关管耦接,输出级通过第三电阻接入固定电压源,并通过第三开关管和采样反馈电路接地,所述固定电压源的输出电压小于供电端口的输出电压。
8.根据权利要求7所述的控制电路,其特征在于,第一开关管为第一场效应晶体管,其栅极接入固定电压源,源极与电流镜的输入级耦接,漏极与反馈信号端口耦接。
9.根据权利要求4或7所述的控制电路,其特征在于,第三开关管为第三效应晶体管,其栅极与电流镜的输出级耦接,源极与采样反馈电路耦接,漏极与反馈信号端口耦接。
10.根据权利要求9所述的控制电路,其特征在于,采样反馈电路包括第四开关管和第一电阻,所述第四开关管和第一电阻依次耦接在第三开关管的源极与地之间。
11.根据权利要求10所述的控制电路,其特征在于,第四开关管为第四场效应晶体管,其栅极接入调制信号,漏极与第三开关管的源极耦接,源极通过第一电阻接地。
12.根据权利要求7所述的控制电路,其特征在于,第三开关管为NMOS管。
13.根据权利要求9所述的控制电路,其特征在于,第三开关管为NMOS管。
14.一种电压变换电路,其特征在于,包括光耦和权利要求1-13任一所述的控制电路,光耦的反馈端耦接在电压变换电路的输出端,用于获取电压变换电路的输出端电压的反馈信号;光耦的接收端通过控制电路耦接在电压变换电路的输入端,用于接收光耦反馈端的反馈信号并通过控制电路反馈至电压变换电路的输入端。
15.根据权利要求14所述的电压变换电路,其特征在于,光耦的接收端耦接在控制电路的供电端口与反馈信号端口之间形成光耦浮地连接。
16.根据权利要求14所述的电压变换电路,其特征在于,光耦的接收端耦接在反馈信号端口与参考地端口之间形成光耦接地连接。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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