[发明专利]量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置

说明书

公开了一种量子点、其制造方法以及包括其的量子点复合物和装置，其中，量子点包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的合金半导体纳米晶体，在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，在量子点的UV‑Vis吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520nm的范围内。

本申请要求于2020年3月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0031617号韩国专利申请的优先权和权益以及由此获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包括于此。

技术领域

公开了一种量子点以及包括该量子点的复合物和显示装置。

背景技术

量子点(“QD”)是呈现出量子限制效应的具有约几纳米到几十纳米的直径的半导体材料的纳米晶体(即，纳米尺寸的半导体纳米晶体)。与体(bulk)材料不同，量子点可以通过控制纳米晶体的尺寸和组成而具有不同的带隙能。量子点可以呈现出电致发光性质和光致发光性质。在化学湿法工艺中，诸如分散剂的有机材料在晶体生长期间配位在半导体纳米晶体的表面上(例如，配位到半导体纳米晶体的表面)，以提供具有受控尺寸和光致发光特性的量子点。量子点的发光性质可以应用(例如，用)在各种领域中。从环境的角度来看，期望开发可以实现(例如，提供)改善的发光性质且不含有害重金属(诸如镉或铅等)的量子点。

发明内容

实施例涉及一种能够呈现出改善的发光性质(例如，激发光吸收)且发射期望波长的光的量子点。

实施例涉及一种制造量子点的方法。

实施例涉及一种包括量子点的组合物。

实施例涉及一种包括量子点的量子点聚合物复合物。

实施例涉及一种包括量子点聚合物复合物的堆叠结构和显示装置。

实施例涉及一种包括量子点的电子装置。

在实施例中，量子点(或多个量子点)包括包含铟(In)、镓、锌(Zn)、磷(P)和硫(S)的(可以是核的)合金半导体纳米晶体，并且在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)大于或等于约0.2:1，磷相对于铟的摩尔比(P:In)大于或等于约0.95:1，量子点不包括镉，并且在量子点的紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于约520纳米(nm)的范围内。

第一吸收峰可以存在于大于或等于约400nm的范围内。

合金半导体纳米晶体可以是均质合金。

在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)可以大于或等于约0.35:1。

在量子点中，镓相对于铟的摩尔比(Ga:In)可以小于或等于约1:1或者小于或等于约0.85:1。

在量子点中，磷相对于铟的摩尔比(P:In)可以大于或等于约1:1或者大于或等于约1.2:1。

在量子点中，磷相对于铟的摩尔比(P:In)可以小于或等于约3.0:1。

在量子点中，铟和镓的总和相对于磷的摩尔比(In+Ga):P可以大于或等于约0.8:1或者大于或等于约0.9:1。

在量子点中，铟和镓的总和相对于磷的摩尔比(In+Ga):P可以小于或等于约1.3:1。

在实施例中，在量子点或量子点的合金半导体纳米晶体的UV-Vis吸收光谱中，第一吸收峰的波长可以在大于或等于约400nm、大于或等于约410nm、大于或等于约420nm或者大于或等于约430nm的范围内。第一吸收峰的波长可以在小于或等于约450nm、小于或等于约445nm、小于或等于约440nm、小于或等于约435nm或者小于或等于约430nm的范围内。