[发明专利]量子点、其制造方法及包括该量子点的复合物和显示装置

权利要求书

1.一种量子点，所述量子点包括合金半导体纳米晶体，所述合金半导体纳米晶体包括铟、镓、锌、磷和硫，

其中，在所述量子点中，镓相对于铟的摩尔比大于或等于0.2:1，

其中，在所述量子点中，磷相对于铟的摩尔比大于或等于0.95:1，

其中，所述量子点不包括镉，并且

其中，在所述量子点的紫外-可见吸收光谱中，第一吸收峰存在于小于或等于520纳米的范围内。

2.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，镓相对于铟的摩尔比大于或等于0.35:1。

3.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，镓相对于铟的摩尔比小于或等于1:1。

4.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，磷相对于铟的摩尔比大于或等于1:1。

5.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，铟和镓的总和相对于磷的摩尔比大于或等于0.8:1且小于或等于1.3:1。

6.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述合金半导体纳米晶体的紫外-可见吸收光谱中，第一吸收峰的波长在大于或等于400纳米且小于或等于450纳米的范围内。

7.根据权利要求6所述的量子点，其中，在所述合金半导体纳米晶体中，锌相对于铟的摩尔比大于或等于0.9:1。

8.根据权利要求6所述的量子点，其中，在所述合金半导体纳米晶体中，铟、镓和锌的总和相对于硫和磷的总和的摩尔比大于或等于1:1且小于或等于1.8:1。

9.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，锌相对于铟和镓的总和的摩尔比大于或等于1:1。

10.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫相对于铟的摩尔比大于或等于0.3:1。

11.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点还包括设置在包括所述合金半导体纳米晶体的核上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、硫和硒。

12.根据权利要求11所述的量子点，其中，在所述量子点中，硫相对于硒的摩尔比小于或等于2.5:1。

13.根据权利要求11所述的量子点，其中，所述半导体纳米晶体壳包括：

第一层，包括包含锌和硒的第一半导体纳米晶体；以及

第二层，设置在所述第一层上，所述第二层包括包含锌和硫的第二半导体纳米晶体。

14.根据权利要求13所述的量子点，其中，所述第一层不包括硫，并且所述第一层直接设置在所述核的表面上，并且其中，所述第二层是所述量子点的最外层，并且所述第二层直接设置在所述第一层的表面上。

15.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述合金半导体纳米晶体具有大于或等于2纳米的尺寸。

16.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点具有大于或等于4纳米的尺寸。

17.根据权利要求1所述的量子点，其中，所述量子点在450纳米处具有大于或等于1.2×10⁵M^-1cm^-1的每摩尔消光系数。

18.根据权利要求1所述的量子点，其中，在所述量子点的所述紫外-可见吸收光谱中，450纳米处的吸光度相对于350纳米处的吸光度的比例大于或等于0.08:1。