[发明专利]一种四面体构型零场钴单离子磁体及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种四面体构型零场钴单离子磁体，其特征在于，所述钴单离子磁体的分子式为：(HNEt₃)₂[Co(L)₂]，其中L为有机配体N，N'-双(甲磺酰基)草酰胺阴离子，其化学结构为：每两个有机配体L的四个N原子与一个Co(Ⅱ)配位，形成四面体构型；所述钴单离子磁体，晶胞参数为：α＝90°,β＝101.2510(10)°,γ＝90°。

2.如权利要求1所述的一种四面体构型零场钴单离子磁体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

S1.在CH₂Cl₂与CH₃OH组成的有机溶剂中加入CoCl₂和H₂L，搅拌得悬混液；

S2.向所述悬混液中加入三乙胺，常温下搅拌3h后，加入乙醚，得紫红色沉淀；

S3.将所述紫红色沉淀溶解到乙腈溶液中，然后转移至试管中，再将所述试管移入装有乙醚试剂的密封容器中进行两相扩散2～3天，即得该钴单离子磁体。

3.如权利要求2所述的一种四面体构型零场钴单离子磁体的制备方法,其特征在于，所述步骤S1中，有机溶剂中的CH₂Cl₂与CH₃OH的体积比为1：1，有机溶剂的用量为每0.5mmolCoCl₂对应20～30ml的有机溶剂，CoCl₂和H₂L的用量摩尔比为1：2.4～2，三乙胺的用量为每0.5mmol CoCl₂对应3～5ml三乙胺。

4.如权利要求2所述的一种四面体构型零场钴单离子磁体的制备方法,其特征在于，所述步骤S2中乙醚的用量为每0.5mmol CoCl₂对应70～80ml的乙醚。

5.如权利要求2所述的一种四面体构型零场钴单离子磁体的制备方法,其特征在于，所述步骤S3中乙腈的用量为每0.5mmol CoCl₂对应15～20ml的乙腈。

6.权利要求1所述的钴单离子磁体或权利要求2～5所述的制备方法制备得到的钴单离子磁体在分子基磁性材料中的应用。

7.权利要求1所述的钴单离子磁体或权利要求2～5所述的制备方法制备得到的钴单离子磁体在高密度信息存储设备中的应用。