[发明专利]一种晶体处理装置及方法有效
申请号: | 202110270143.4 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113001793B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 沈安宇;湛希栋;张耀文;李磊磊;张亮 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D7/00;B28D7/04 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 吴绍群 |
地址: | 250118 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 处理 装置 方法 | ||
本申请公开了一种晶体处理装置及方法,属于晶体处理技术领域。所述晶体处理装置包括:机架,所述机架上安装有基座,所述基座上设置有用于夹持晶体的夹持机构,所述夹持机构包括第一开口;碰撞组件,所述碰撞组件设置在所述夹持机构的外侧,所述碰撞组件包括第一碰撞件和第一动力机构,所述第一动力机构用于驱动所述第一碰撞件运动,并经过所述第一开口以碰撞所述晶体,直至所述晶体开裂。该晶体处理装置处理晶体时未接触到晶体的断裂面,因此不会留下切割痕迹,可以得到清晰的断面,从而能够更加清楚的观察到晶体内部结构,使得观察结果更加准确客观。
技术领域
本申请涉及一种晶体处理装置及方法,尤其涉及一种碳化硅晶体处理装置及方法,属于晶体处理技术领域。
背景技术
随着5G通讯、新能源汽车等产业的迅猛发展对功率电子器件的需求不断增加,碳化硅晶体因具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场强及高饱和电子漂移速率等优异的物理性能而备受关注。在实际生产过程中,需要将制备得到的碳化硅晶体进行切割,以查看内部状态,观察是否能够达到后期应用时的标准。
目前,通常采用金刚石锯片切割碳化硅晶体,得到的碳化硅晶体切割面具有明显的切割痕迹,从而导致切割面无法使用;此外,由于碳化硅晶体的硬度较大,需要切割多次,效率较低;且切割过程由人工进行,浪费大量的劳动力。
发明内容
为了解决上述问题,本申请提出了一种晶体处理装置及方法,该晶体处理装置处理晶体时未接触到晶体的断裂面,因此不会留下切割痕迹,可以得到清晰的断面,从而能够更加清楚的观察到晶体内部结构,使得观察结果更加准确客观。
根据本申请的一个方面,提供了一种晶体处理装置,其包括:
机架,所述机架上安装有基座,所述基座上设置有用于夹持晶体的夹持机构,所述夹持机构包括第一开口;
碰撞组件,所述碰撞组件设置在所述夹持机构的外侧,所述碰撞组件包括第一碰撞件和第一动力机构,所述第一动力机构用于驱动所述第一碰撞件运动,并经过所述第一开口以撞击所述晶体,直至所述晶体开裂。
可选地,所述第一碰撞件包括第一连接件和第一碰撞尖端,所述第一碰撞尖端通过所述第一连接件与所述第一动力机构相连,所述第一碰撞尖端包括相连的第一斜面和第二斜面,所述第一斜面与所述第二斜面之间的夹角为75°~110°。
可选地,所述碰撞组件还包括第二碰撞件和第二动力机构,所述第一碰撞件与所述第二碰撞件分别设置在所述夹持机构的相对两侧,并位于同一条直线上;
所述夹持机构还包括第二开口,所述第二开口与所述第一开口分别开设于所述夹持机构的相对位置,所述第二动力机构用于驱动所述第二碰撞件运动,并经过所述第二开口碰撞所述晶体;和/或
所述第二碰撞件还包括与所述第二碰撞件相连的锁紧装置,用于锁紧所述第二碰撞件。
可选地,所述晶体处理装置还包括加热组件,所述加热组件包括设置在所述基座上的加热丝,所述加热丝、所述第一开口及所述第一碰撞件的中心线位于同一条直线上。
可选地,所述基座与所述夹持机构形成用于放置所述晶体的容纳腔,所述容纳腔底壁的中心线处开设有凹槽,所述凹槽贯穿于所述容纳腔的底壁,所述加热丝放置在所述凹槽内;和/或
所述容纳腔的底壁包括依次连接的第一部分、凹槽和第二部分,所述第一部分和所述第二部分分别铺设有隔热材料。
可选地,所述夹持机构包括第一夹持件和第二夹持件,所述第一夹持件和所述第二夹持件分别安装在所述基座上,所述基座、所述第一夹持件和所述第二夹持件形成用于放置所述晶体的容纳腔,所述第一夹持件和所述第二夹持件之间的缺口分别形成所述第一开口和第二开口;
所述第一夹持件和所述第二夹持件中至少一个能够调节相对于另一的相对位置。
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