[发明专利]一种石墨烯制备用反应炉

说明书

本发明提供一种石墨烯制备用反应炉，涉及石墨烯制备技术领域。该石墨烯制备用反应炉，包括下炉体和上炉体，所述下炉体下端面中心开设有电机槽，所述电机槽的内部固定设置有电动机，所述电动机的输出端固定连接有转动杆，所述下炉体内部靠中部处固定设置有制备板，所述制备板的上端面中心处开设有制备槽，所述制备槽底面开设有环槽，所述制备槽底面位于环槽的两侧均开设有下流孔，所述环槽与两个下流孔之间开设有贯通槽，所述转动杆的上端贯穿下炉体和制备板通至制备槽的内部，所述转动杆的上端面中心处开设有活动槽。本发明提供一种石墨烯制备用反应炉，该石墨烯制备用反应炉操作方便，制备石墨烯效率高，便于拆卸。

技术领域

本发明涉及石墨烯制备技术领域，具体为一种石墨烯制备用反应炉。

背景技术

石墨烯(Graphene)是一种以sp²杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料，石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性，在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景，被认为是一种未来革命性的材料，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫，用微机械剥离法成功从石墨中分离出石墨烯，因此共同获得2010年诺贝尔物理学奖。石墨烯常见的粉体生产的方法为机械剥离法、氧化还原法、SiC外延生长法，薄膜生产方法为化学气相沉积法(CVD)。

石墨烯制备有微机械剥离法、SiC外延生长法、化学气相沉积法(CVD)、氧化还原法，在通过SiC外延生长法制备石墨烯的过程中，需要在反应炉中对SiC单晶体进行高压加热从而得到石墨烯，但在此过程中大多都用到的都是SiC薄片以便于加热，这样就需要多次开启反应炉添加SiC和收取石墨烯，非常麻烦并且效率还很低。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种石墨烯制备用反应炉，解决了制备石墨烯效率低的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种石墨烯制备用反应炉，包括下炉体和上炉体，所述下炉体下端面中心开设有电机槽，所述电机槽的内部固定设置有电动机，所述电动机的输出端固定连接有转动杆，所述下炉体内部靠中部处固定设置有制备板，所述制备板的上端面中心处开设有制备槽，所述制备槽底面开设有环槽，所述制备槽底面位于环槽的两侧均开设有下流孔，所述环槽与两个下流孔之间开设有贯通槽，所述转动杆的上端贯穿下炉体和制备板通至制备槽的内部，所述转动杆的上端面中心处开设有活动槽，所述活动槽的内部活动设置有固定头，所述活动槽的两侧内壁靠下端处均开设有卡槽，所述固定头头身两侧靠下端处均固定设置有卡块，两个所述卡块远离固定头的一端均活动设置在卡槽的内部，所述固定头的上端固定设置有横杆，所述横杆远离固定头的一端固定设置有刮板；

所述上炉体的下端固定设置有二号法兰，所述下炉体的上端固定设置有一号法兰，所述一号法兰和二号法兰之间通过多个紧固螺栓固定连接，所述下炉体的下端固定设置有下护壳，所述下护壳的底面靠两侧处分别固定设置有抽墨泵和存储箱，所述抽墨泵和存储箱之间通过连接管固定连接，所述抽墨泵的抽墨口处固定设置有抽离管，所述抽离管远离抽墨泵的一端贯穿下护壳和下炉体通至下炉体的内部，所述环槽的内部活动设置有SiC环，所述刮板的下端活动设置在SiC环的上端面。

优选的，所述存储箱的出墨口处固定设置有出料管，所述出料管远离存储箱的一端贯穿下护壳通至下护壳的下端，位于所述下护壳下端的出料管管身上固定设置有密封阀。

优选的，所述上炉体的上端面靠两侧处分别固定设置有增压泵和压力表。

优选的，所述下炉体内部靠两侧处均固定设置有支撑柱，两个所述支撑柱相对的一端均固定设置有加热线圈，两个所述支撑柱均位于制备板的上端。

优选的，所述下炉体炉身靠下端处固定套设有固定环，所述固定环下端面靠两侧处均固定设置有伸缩杆，两个所述伸缩杆的下端均固定设置有自锁万向轮。