[发明专利]一种EML芯片及光模块

说明书

本申请提供的EML芯片及光模块，EML芯片用于光模块；EML芯片包括：衬底；EAM‑MQW层，设置在衬底的上方；DFB‑MQW层，设置在EAM‑MQW层的上方；光栅层，设置在DFB‑MQW层的上方；InP包层，沉积设置在光栅层的上方；电极层，刻蚀设置在InP包层的上表面，电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，DFB正电极和EAM正电极之间设置电隔离区，DFB正电极位于DFB‑MQW层的上方。通过EAM‑MQW层上方设置DFB‑MQW层实现DFB‑MQW和EAM‑MQW的堆叠，减少EML芯片制作复杂性，以提升EML制成速度，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种EML芯片及光模块。

背景技术

在云计算、移动互联网、视频等新型业务和应用模式，均会用到光通信技术。而在光通信中，光模块是实现光电信号相互转换的工具，是光通信设备中的关键器件之一，光模块向外部光纤中输入的光信号强度直接影响光纤通信的质量。并且随着5G网络的快速发展，处于光通信核心位置的光模块得到了长足的发展，产生了形式多样的光模块。

其中，对于光模块的信号发射，可以采用VCSEL(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser，垂直共振腔表面放射激光)、EML(Electlro-absorption ModulatedLaser，电吸收调制半导体激光器)等类型的信号发射方式。对于采用EML的信号发射方式的光模块，其带宽大于50GHz、调制速率达到80Gb/s-100Gb/s，在光通信发展中有着非常广阔的发展前景。

发明内容

本申请实施例提供了一种EML芯片及光模块，提高EML晶元的良率和稳定性，便于保证EML芯片的一致性。

第一方面，本申请提供了一种EML芯片，用于光模块，包括：

衬底；

EAM-MQW层，设置在所述衬底的上方；

DFB-MQW层，设置在所述EAM-MQW层的上方；

光栅层，设置在所述DFB-MQW层的上方；

InP包层，沉积设置在所述光栅层的上方；

电极层，刻蚀设置在所述InP包层的上表面，所述电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，所述DFB正电极和所述EAM正电极之间设置电隔离区，所述DFB正电极位于所述DFB-MQW层的上方。

第二方面，本申请提供了一种光模块，包括：

电路板；

光发射部件，与所述电路板电连接，用于产生并输出信号光，包括EML芯片；

其中，所述EML芯片包括：

衬底；

EAM-MQW层，设置在所述衬底的上方；

DFB-MQW层，设置在所述EAM-MQW层的上方；

光栅层，设置在所述DFB-MQW层的上方；

InP包层，沉积设置在所述光栅层的上方；

电极层，刻蚀设置在所述InP包层的上表面，所述电极层包括DFB正电极、EAM正电极和EML负电极，所述DFB正电极和所述EAM正电极之间设置电隔离区，所述DFB正电极位于所述DFB-MQW层的上方。