[发明专利]一种基于相变材料的自适应电磁防护结构

权利要求书

1.一种基于相变材料的自适应电磁防护结构，其特征在于，包括信号传输构件，相变材料块；所述相变材料块内置于所述信号传输构件内部；

所述信号传输构件两端分别连接微波信号传输线；其中，微波信号在所述微波信号传输线中进行传播的过程中，通过所述信号传输构件；

其中，所述相变材料块被所述微波信号传输线中传输的微波信号加热，所述微波信号提供的加热温度随所述微波信号的功率的增大而增大；

其中，在所述相变材料块的温度未被加热至相变温度时，所述相变材料块表现半导体介质性能，以传导所述微波信号传输线中的微波信号；

在所述相变材料块的温度被加热至所述相变温度时，所述相变材料块表现金属性能，以使所述微波信号传输至相变材料块处大部分将被反射，剩余的未被发射的微波信号继续在自适应电磁防护结构中传导，使得在自适应电磁防护结构中的微波信号的功率降低后传输至后端电路。

2.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述相变材料块是由VO2制成的。

3.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述信号传输构件，包括：基底层，所述基底层包括由上至下的第一金属层、SIW基片层、第二金属层；

其中，还包括贯穿所述基底层的SIW金属过孔；在所述SIW基片层上开设有预设形状的贯穿孔，所述贯穿孔中填充所述相变材料块，且所述第一金属层覆盖所述相变材料块的上表面，所述第二金属层覆盖所述相变材料块的下表面；其中，所述第一金属层的两端分别连接所述微波信号传输线。

4.根据权利要求3所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述自适应电磁防护结构还包括：微带线输入端口和微带线输出端口，匹配结构；所述匹配结构用于匹配所连接的微波信号传输线的阻抗；

其中，所述匹配结构还包括：第一匹配结构、第二匹配结构；

所述微带线输入端口，通过所述第一匹配结构与所述第一金属层连接；

所述微带线输出端口，通过所述第二匹配结构与所述第一金属层连接；

其中，所述微带线输入端口和所述微带线输出端口分别连接微波信号传输线。

5.根据权利要求4所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述贯穿孔开设在所述SIW基片层的中心位置。

6.根据权利要求5所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述微波信号在由所述第一金属层、所述第二金属层以及所述SIW金属过孔所限制的SIW基片层区域内进行传输。

7.根据权利要求1所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述信号传输构件，包括：金属管腔、第三匹配结构；

所述金属管腔内部和所述第三匹配结构内部为形状相同的矩形中空结构；

所述金属管腔与所述第三匹配结构通过法兰连接，所述第三匹配结构内部充满空气，所述金属管腔内填充所述相变材料块，所述金属管腔内的剩余腔体充满空气；其中，所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接所述微波信号传输线。

8.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述第三匹配结构，用于匹配所述金属管腔的一端和所述第三匹配结构的一端分别连接的所述微波信号传输线的阻抗。

9.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述相变材料块填充在所述金属管腔的靠近所述法兰的一段腔体内。

10.根据权利要求7所述的自适应电磁防护结构，其特征在于，所述微波信号在所述金属管腔和所述第三匹配结构的矩形中空结构内进行传输。