[发明专利]一种提取CMOS器件中迁移率和源漏极串联电阻的方法

权利要求书

1.一种提取CMOS器件中迁移率和源漏极串联电阻的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤S1、对某CMOS器件，使其源极和衬底接地测量该CMOS器件的初始I_d-V_gs曲线，求出此时的跨导g_m，利用最大跨导处线性外推方法计算出该CMOS器件的初始阈值电压V_T，计算得到迁移率退化因子θ和零场迁移率下的增益因子β₀；

其中，I_d是指该CMOS器件的初始漏极电流值，V_gs是指该CMOS器件的初始栅极电压，V_ds是指该CMOS器件的初始漏极电压；β₀为零场迁移率下的增益因子；

步骤S2、对上述CMOS器件，施加t时间段最严重HCI退化条件下的HCI应力，该CMOS器件的Si/SiO₂界面产生界面态；使其源极和衬底接地，在t时间段内分别测量多个时刻的HCI应力时间后的I_d′-V_gs′曲线，并求得对应的跨导、阈值电压、迁移率退化因子和零场迁移率下的增益因子；

步骤S3、计算得到步骤S2中t时间内各时刻HCI应力时间下对应于步骤S1的有效场效应迁移率变化量δμ_eff；

步骤S4、得到t时间内各时刻HCI应力时间下的θ-β₀曲线，根据θ与β₀的计算公式进行直线拟合，拟合后的直线中截距和斜率分别为θ₀和R_SD的值；

θ＝θ₀+β₀R_SD；

2.根据权利要求1所述的提取CMOS器件中迁移率和源漏极串联电阻的方法，其特征在于：所述步骤S2中，取t时间段内五个时刻的HCI应力后的电流电压曲线，分别是100s，1000s，2500s，4000s和6000s时刻。

3.根据权利要求1所述的提取CMOS器件中迁移率和源漏极串联电阻的方法，其特征在于：所述步骤S2对CMOS器件施加t时间段最严重HCI退化条件下的HCI应力时，施加最严重HCI退化条件是指V_ds＝V_gs且V_S＝0V。