[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，其在透明基板上具有相移膜，

所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，该光掩模是在所述透明基板上具有相移膜图案的光掩模，所述相移膜图案是通过对所述相移膜进行湿法蚀刻而得到的，

所述相移膜由单层或多层构成，并且包含相对于该相移膜的整体膜厚的50％以上且100％以下的由含有钼(Mo)、锆(Zr)、硅(Si)及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，

所述MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，并且硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。

2.根据权利要求1所述的光掩模坯料，其中，

所述相移膜具备以下光学特性：对于曝光光的代表波长的透射率为20％以上且80％以下、相位差为160°以上且200°以下。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

所述相移膜是包含所述透明基板侧的下层和层叠于所述下层上的上层的层叠膜，所述下层为所述MoZrSi系材料层。

4.根据权利要求3所述的光掩模坯料，其中，

所述上层由在曝光光的代表波长下的折射率小于所述下层、且消光系数高于所述下层的材料形成。

5.根据权利要求4所述的光掩模坯料，其中，

以使所述相移膜对于曝光光的代表波长的背面反射率成为15％以下的方式而设定了所述上层和所述下层各自的折射率、消光系数、及膜厚。

6.根据权利要求1或2所述的光掩模坯料，其中，

在所述相移膜上具备对该相移膜的蚀刻选择性不同的蚀刻掩模膜。

7.一种光掩模的制造方法，该方法包括：

准备权利要求1～5中任一项所述的光掩模坯料的工序；以及

在所述相移膜上形成抗蚀膜，以由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模，对所述相移膜进行湿法蚀刻，在所述透明基板上形成相移膜图案的工序。

8.一种光掩模的制造方法，该方法包括：

准备权利要求6所述的光掩模坯料的工序；

在所述蚀刻掩模膜上形成抗蚀膜，以由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模，对所述蚀刻掩模膜进行湿法蚀刻，在所述相移膜上形成蚀刻掩模膜图案的工序；以及

以所述蚀刻掩模膜图案作为掩模，对所述相移膜进行湿法蚀刻，在所述透明基板上形成相移膜图案的工序。

9.一种显示装置的制造方法，该方法包括：

将通过权利要求7或8所述的光掩模的制造方法得到的光掩模放置于曝光装置的掩模台，将形成于所述光掩模上的包含所述相移膜图案的转印图案曝光转印至形成于显示装置基板上的抗蚀剂的曝光工序。