[发明专利]一种新型SAW滤波器的工艺制造流程

权利要求书

1.一种新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，包括在晶圆层上表面的粘合层上采用不同的金属材质形成不同厚度的刻蚀线路件。

2.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述不同厚度的刻蚀线路件用于实现滤波器里的不同线路功能。

3.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述不同的金属材质包括Au和Al。

4.根据权利要求3所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，Al用于形成厚度较薄的薄铝层刻蚀件，Au用于形成厚度较厚的薄金层刻蚀件。

5.根据权利要求4所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述薄铝层刻蚀件为叉指换能器IDT刻蚀线路件，所述薄金层刻蚀件为焊盘PAD刻蚀线路件。

6.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述粘合层采用Ti。

7.根据权利要求1所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对晶圆表面进行清洗；

步骤2，在晶圆表面溅射金属Ti以形成粘合层，在所述粘合层上溅射金属Al以形成薄铝层；

步骤3，通过光刻技术刻蚀形成薄铝层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的裸露粘合层；

步骤4，通过涂胶技术涂覆一层光刻胶，所述光刻胶裹住所述薄铝层刻蚀件并覆盖所述裸露粘合层，并通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件窗口；

步骤5，针对所述薄金层刻蚀件窗口溅射金属Au至形成覆盖所述光刻胶表面的薄金层；

步骤6，通过光刻技术刻蚀形成薄金层刻蚀件，并使所述薄金层刻蚀件和所述薄铝层刻蚀件没有覆盖的晶圆表面裸露。

8.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程能够提高产品良率和产量，刻蚀后无残留且过程中不生成不挥发的、难以去除的刻蚀副产品和微粒。

9.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程能够形成可控的良好的电路侧壁形貌。

10.根据权利要求7所述的新型SAW滤波器的工艺制造流程，其特征在于，所述工艺制造流程所制造出来的SAW滤波器能够使其插损更小和纹波更平。