[发明专利]一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备在审
申请号: | 202110231733.6 | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN113021192A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 蒋丹 | 申请(专利权)人: | 超安(广州)五金有限公司 |
主分类号: | B24C1/04 | 分类号: | B24C1/04;B24C3/02;B24C9/00 |
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地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 金属 原子 活动性 节能 环保 硅片 处理 设备 | ||
本发明涉及新型电子元件技术领域,提供一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备,包括机体,所述机体的内部固定连接有放置架,放置架的底部固定连接有热敏电阻,热敏电阻的表面活动连接有推块。该控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备,硅片温度到达设定值,热敏电阻的阻值产生相应变化触发驱动机构,驱动机构使推块移动,推块利用联动杆推移推板,推板、弹簧杆对梯形块进行挤压,弧形块对梯形块进行控制,当推块的移动的距离到达设定值,梯形块将弧形块向两侧拨开,梯形块推移活塞,活塞将砂从喷头处喷出,砂对半导体硅片进行冲击损伤,热传递使硅内部金属原子完全移动至损伤处便于处理。
技术领域
本发明涉及新型电子元件技术领域,具体为一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其是一种新型电子元件,由于作为半导体硅片原料的硅元素是是地壳中储量最丰富的元素之一,所以硅元素是取之不尽的,半导体硅片是光伏主要材料的原因之一,硅片上能够集成四千多万个晶体管,硅片是科学进步的标志。
在现有技术中,半导体硅片在进行被损处理时,铁、铬、镍、锌在硅内部的活动性无法判断,铁、铬、镍、锌的活动性不足,无法在硅片背面遇到损伤点时,全部从内部移动到损伤点,且冲击损伤点使用喷砂法,喷出的砂不进行回收不仅会产生浪费,还会对下一次冲击产生影响,因此一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备应运而生。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备,由以下具体技术手段所达成:
一种控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备,包括机体,所述机体的内部固定连接有放置架,放置架的底部固定连接有热敏电阻,热敏电阻的表面活动连接有推块,推块的左右两侧均活动连接有联动杆,联动杆的表面活动连接有伸缩杆,联动杆远离推块的一端活动连接有滑块,联动杆的底部活动连接有推板,推板的底部活动连接有弹簧杆,弹簧杆的底部活动连接有梯形块,梯形块的左右两侧均活动连接有弧形块,梯形块的底部固定连接有活塞,活塞的底部活动连接有喷头,滑块的底部活动连接有拐杆,拐杆的底部活动连接有移动套,移动套的底部活动连接有连接杆,连接杆的表面活动连接有挤压板,挤压板的表面活动连接有气囊。
优选的,所述放置架的顶部固定连接有半导体硅片,放置架为吸热材料,推块的表面活动连接有驱动机构,推块与驱动机构之间活动连接有热敏电阻。
优选的,所述伸缩杆的顶部活动连接有机体,滑块的背面活动连接有限位槽,机体的内部固定连接有加热装置,加热装置对硅片进行加热。
优选的,所述弧形块活动安装在机体的内部,弧形块与机体之间活动连接有螺旋弹簧。
优选的,所述活塞的左右两侧活动连接有砂箱,喷头的正下方且位于机体的内部设置有有半导体硅片,喷头喷出砂正对准硅片。
优选的,所述移动套通过设置在其底部的连接杆活动连接有挤压板,气囊的开口朝向放置架。
本发明具备以下有益效果:
1、该控制金属原子活动性的节能环保硅片处理设备,通过硅片放置在放置架的内部进行稳定,加热装置对硅片进行加热,硅片的温度传递到放置架,热敏电阻实时判断硅片温度,当硅片温度到达设定值,热敏电阻的阻值产生相应变化触发驱动机构,驱动机构使推块移动,推块利用联动杆推移推板,推板、弹簧杆对梯形块进行挤压,弹簧杆会被压缩变形,弧形块对梯形块进行控制,当推块的移动的距离到达设定值,梯形块将弧形块向两侧拨开,弹簧杆恢复原形将梯形块推移,弹簧杆能够增大梯形块的推移速度,弹簧杆间接使喷砂速度加快,梯形块推移活塞,活塞将砂从喷头处喷出,砂对半导体硅片进行冲击损伤,从而实现利用热传递使硅内部金属原子完全移动至损伤处便于处理的效果。
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