[发明专利]共面波导结构的制备方法、装置、设备以及超导器件

说明书

本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备方法、装置、设备及超导器件。方法包括：获取待刻蚀结构，待刻蚀结构包括位于衬底结构上的铝薄膜和位于铝薄膜上端、用于覆盖铝薄膜的部分区域的光刻胶结构；利用酸性溶液对位于衬底结构上的铝薄膜进行第一次刻蚀操作，获得第一刻蚀后结构；对第一刻蚀后结构进行冲洗，获得中间结构；利用碱性溶液对中间结构进行第二次刻蚀操作，获得第二刻蚀后结构；对第二刻蚀后结构进行冲洗，获得目标结构，目标结构包括位于衬底结构上的铝薄膜和位于铝薄膜上端的光刻胶结构，光刻胶结构覆盖铝薄膜的所有区域。本实施例提供的技术方案，提高了铝基微波波导器件的边缘平整度，保证了超导量子器件生成的质量和效果。

技术领域

本发明涉及超导技术领域，尤其涉及一种共面波导结构的制备方法、装置、设备以及超导器件。

背景技术

湿法腐蚀是一种通过掩模保护以及化学反应、实现微纳米尺寸结构加工的方法，其是微纳米加工领域常用的加工方法，具有实现简单、成本低廉等优点，同时，上述实现方式也具有一定的化学选择性。在铝基超导量子微波波导的湿法制备过程中，常常因化学腐蚀的选择性而残留一些微纳米级颗粒状杂质，这些杂质的荷电效应给量子器件的信号带来干扰，进而会影响量子器件的制备质量和效果。

发明内容

本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备方法、装置、设备以及超导器件，可以降低杂质的荷电效应给量子器件信号带来的干扰，保证量子器件的制备质量和效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备方法，包括：

获取待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括：位于衬底结构上的铝薄膜和位于所述铝薄膜上端、用于覆盖所述铝薄膜的部分区域的光刻胶结构；

利用酸性溶液对位于所述衬底结构上的铝薄膜进行第一次刻蚀操作，获得第一刻蚀后结构；

对所述第一刻蚀后结构进行冲洗，获得中间结构；

利用碱性溶液对所述中间结构进行第二次刻蚀操作，获得第二刻蚀后结构；

对所述第二刻蚀后结构进行冲洗，获得用于生成共面波导结构的目标结构，所述目标结构包括：位于衬底结构上的铝薄膜和位于所述铝薄膜上端的光刻胶结构，所述光刻胶结构覆盖所述铝薄膜的所有区域。

第二方面，本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备装置，包括：

获取模块，用于获取待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括：位于衬底结构上的铝薄膜和位于所述铝薄膜上端、用于覆盖所述铝薄膜的部分区域的光刻胶结构；

刻蚀模块，用于利用酸性溶液对位于所述衬底结构上的铝薄膜进行第一次刻蚀操作，获得第一刻蚀后结构；

冲洗模块，用于对所述第一刻蚀后结构进行冲洗，获得中间结构；

所述刻蚀模块，用于利用碱性溶液对所述中间结构进行第二次刻蚀操作，获得第二刻蚀后结构；

所述冲洗模块，用于对所述第二刻蚀后结构进行冲洗，获得用于生成共面波导结构的目标结构，所述目标结构包括：位于衬底结构上的铝薄膜和位于所述铝薄膜上端的光刻胶结构，所述光刻胶结构覆盖所述铝薄膜的所有区域。

第三方面，本发明实施例提供了一种共面波导结构的制备设备，所述设备包括：存储器、处理器；其中，所述存储器用于存储一条或多条计算机指令，其中，所述一条或多条计算机指令被所述处理器执行时实现如上述第一方面所述的共面波导结构的制备方法。

第四方面，本发明实施例提供了一种超导器件，包括：

约瑟夫森结和共面波导结构，所述共面波导结构与所述约瑟夫森结通信连接，其中，所述共面波导结构通过第一方面所述的共面波导结构的制备方法所生成。