[发明专利]磁传感器、磁传感器的制备方法及电子设备

权利要求书

1.一种磁传感器，其特征在于，所述磁传感器包括：

衬底；和

多个磁阻模组，多个所述磁阻模组设于所述衬底，并形成惠斯通电桥，每一所述磁阻模组背离所述衬底的一侧设有至少一个金属薄膜片。

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁传感器还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层设于所述磁阻模组背离所述衬底的一侧，并包覆所述金属薄膜片。

3.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁阻模组包括两个第一磁阻模块组和两个第二磁阻模块组，两个第一磁阻模块组和两个第二磁阻模块组形成第一惠斯通电桥，两个所述第一磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第一相对桥臂，两个所述第二磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第二相对桥臂；

所述第一磁阻模块组的参考层磁化方向均与所述磁传感器的第一传感轴的正方向相同；

所述第二磁阻模块组包括串联的两个第二磁阻模块；两个所述第二磁阻模块的参考层磁化方向形成第一夹角，所述第一夹角的角平分线与所述第一传感轴平行；所述第一夹角大于0°且小于180°；

其中，所述第一磁阻模块组和所述第二磁阻模块各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。

4.如权利要求3所述的磁传感器，其特征在于，每一所述第一磁阻模块组由M个第一磁阻单元串联而成；每一所述第二磁阻模块由N个第二磁阻单元串联而成；M＝2N；所述第一磁阻单元和所述第二磁阻单元的形状相同，均为长条状的磁阻膜堆；M个所述第一磁阻单元的易磁化轴相互平行；N个所述第二磁阻单元的易磁化轴相互平行；

每一所述第一磁阻单元背离所述衬底的一侧设有多个沿长度方向间隔排布的所述金属薄膜片；

且/或，每一所述第二磁阻单元背离所述衬底的一侧设有多个沿长度方向间隔排布的所述金属薄膜片。

5.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述磁阻模组还包括两个第三磁阻模块组和两个第四磁阻模块组，两个第三磁阻模块组和两个第四磁阻模块组形成第二惠斯通电桥，两个所述第三磁阻模块组分别位于所述第二惠斯通电桥的第一相对桥臂，两个所述第四磁阻模块组分别位于所述第二惠斯通电桥的第二相对桥臂；

相邻的所述第三磁阻模块组和所述第四磁阻模块组的参考层磁化方向形成第二夹角，所述第二夹角的角平分线与所述磁传感器的第一传感轴平行；所述第二夹角大于0°小于180°；

其中，所述第三磁阻模块组和所述第四磁阻模块组各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。

6.如权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，每一所述第三磁阻模块组由P个第三磁阻单元串联而成；每一所述第四磁阻模块组由P个第四磁阻单元串联而成；所述第三磁阻单元和所述第四磁阻单元的形状相同，均为长条状的磁阻膜堆；P个所述第三磁阻单元的易磁化轴相互平行；P个所述第四磁阻单元的易磁化轴相互平行；

每一所述第三磁阻单元背离所述衬底的一侧设有多个沿长度方向间隔排布的所述金属薄膜片；

且/或，每一所述第四磁阻单元背离所述衬底的一侧设有多个沿长度方向间隔排布的所述金属薄膜片。

7.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1至6中任一项所述的磁传感器。

8.一种磁传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上依次沉积若干层薄膜，以得到磁阻膜堆；

对所述磁阻膜堆进行图像化刻蚀形成多个磁阻模组；

在所述衬底上制备导线，通过所述导线连接所述磁阻模组以构成惠斯通电桥；

在所述磁阻模组背离所述衬底的一侧制备金属薄膜片，形成磁传感器的半成品；

将所述磁传感器的半成品置于外部磁场中，并在所述外部磁场中进行退火处理。