[发明专利]改善金属线工艺热点的OPC修正方法

说明书

本发明公开了一种改善金属线工艺热点的OPC修正方法包括：步骤一、对原始掩模板版图进行第一次双重图形拆分和OPC修正并筛选出靠近器件辅助图形附近的金属线工艺热点图形；步骤二、进行第二次双重图形拆分，对金属线工艺热点图形附近的器件辅助图形全部着色为异色，并对原始掩模板版图进行重新拆分，将金属线工艺热点图形和附近的器件辅助图形分别拆分到第一和第二层掩模板版图上；步骤三、进行第二次OPC修正得到最终掩模板版图。本发明能有效提高金属线工艺热点图形的光刻工艺窗口，减少金属线工艺热点图形产生短路或断路的风险。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种改善金属线工艺热点的光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)方法。

背景技术

伴随半导体集成电路制造产业的不断向前发展，半导体工艺制程朝着越来越小的特征尺寸发展。对于16nm及以下的更先进的工艺制程，其设计版图中图形最小空间周期已远远超出193nm浸没式光刻机的理论图形解析极限。因此仅通过光学邻近效应校正技术无法有效得将设计版图通过单张掩模板转移到硅片上。双重图形技术(Double PatterningTechnology，DPT)，利用光刻蚀刻-光刻蚀刻(LELE)的工艺技术，通过原始设计版图的拆分为两层掩模板，可以将密集的设计版图图形通过两张掩模板进行曝光转移到硅片上。与单张掩模板曝光相比，双重图形拆分技术增大了版图图形之间的周期尺寸(pitch)，降低了设计版图对光刻系统的要求，在很大程度上改善了光刻工艺的失真度，提高了光刻的工艺窗口，尤其适用于复杂的金属线层等复杂的设计图形。

典型的双重图形拆分技术包括着色和拆分两部分。着色即将整张版图的图形尽可能均匀分配为两种不同颜色。为避免拆分后获得多种可能的结果，设计者会在原始设计版图中加入带有固定着色的标记图形，从而固定拆分的结果。着色过程可以理解成为版图上的独立图形分配一种颜色，从而将距离小于既定设计规则尺寸的相邻图形拆分到两张掩模板上。在版图设计规则(Design Rule)中，对双重图形拆分有着严格的规则限制，所有双重图形拆分结果必须符合该规则。否则就会产生冲突图形，这些图形无法通过单纯的着色和拆分完成，往往需要重新设计版图，这往往会增加产品研发周期。其次，业界还会利用双重图形技术对版图图形进行切断(cut)和缝补(sticth)，但这会同时会增加工艺难度，同样存在风险。

由于16nm以下节点的金属线层版图图形密度极高，即便在版图拆分两张光罩后，一些图形的空间周期仍小于100nm，较为接近浸没式光刻机的光刻分辨率极限。因此即便使用了双重图形技术，但对金属线层而言，由于原始设计版图图形密度过高，图形空间周期过小，容易产生短路或者断路的工艺热点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种改善金属线工艺热点的OPC修正方法，能有效提高金属线工艺热点图形的光刻工艺窗口，减少金属线工艺热点图形产生短路或断路的风险。

为解决上述技术问题，本发明提供的改善金属线工艺热点的OPC修正方法包括如下步骤：

步骤一、对原始掩模板版图进行第一次双重图形拆分以及第一次OPC修正，筛选出靠近器件辅助图形附近的金属线工艺热点图形。

步骤二、检查所述第一次双重图形拆分中所述金属线工艺热点图形与附近的所述器件辅助图形的着色与拆分情况并进行第二次双重图形拆分，所述第二次双重图形拆分中，将所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形全部着色为和所述金属线工艺热点图形的颜色相反的异色，并根据着色对所述原始掩模板版图进行重新拆分，所述第二次双重图形拆分将所述金属线工艺热点图形拆分到第一层掩模板版图上以及将所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形全部拆分到第二层掩模板版图上。

步骤三、进行第二次OPC修正，所述第二次OPC修正分别对所述第一层掩模板版图和所述第二层掩模板版图进行OPC修改并得到最终掩模板版图。

进一步的改进是，步骤一中，所述金属线工艺热点图形包括存在短路或者断路风险的金属线图形。