[发明专利]改善金属线工艺热点的OPC修正方法有效
申请号: | 202110226492.6 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113126422B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 孟任阳;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改善 金属线 工艺 热点 opc 修正 方法 | ||
1.一种改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、对原始掩模板版图进行第一次双重图形拆分以及第一次OPC修正,筛选出靠近器件辅助图形附近的金属线工艺热点图形;
步骤二、检查所述第一次双重图形拆分中所述金属线工艺热点图形与附近的所述器件辅助图形的着色与拆分情况,并进行第二次双重图形拆分,所述第二次双重图形拆分中,将所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形全部着色为和所述金属线工艺热点图形的颜色相反的异色,并根据着色对所述原始掩模板版图进行重新拆分,所述第二次双重图形拆分将所述金属线工艺热点图形拆分到第一层掩模板版图上以及将所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形全部拆分到第二层掩模板版图上;
步骤三、进行第二次OPC修正,所述第二次OPC修正分别对所述第一层掩模板版图和所述第二层掩模板版图进行OPC修改并得到最终掩模板版图。
2.如权利要求1所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中,所述金属线工艺热点图形包括存在短路或者断路风险的金属线图形。
3.如权利要求2所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述金属线工艺热点图形还包括附近存在规则排列的所述器件辅助图形的所述金属线图形。
4.如权利要求1所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤二中,所述第二次双重图形拆分中将所述金属线工艺热点图形的着色和拆分结果固定为所述第一次双重图形拆分的着色和拆分结果,仅对所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形的着色进行改变且在不违反设计规则的前提下所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形全部着色为异色。
5.如权利要求4所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤二的所述第二次双重图形拆分中,所述金属线工艺热点图形附近的全部着色为异色的所述器件辅助图形之外的版图图形的着色和拆分结果也固定为所述第一次双重图形拆分的着色和拆分结果。
6.如权利要求1或4所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤二中,全部着色为异色的所述器件辅助图形位于所述金属线工艺热点图形附近的范围为200nm以内。
7.如权利要求4所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:所述第二次双重图形拆分中着色完成后所述金属线工艺热点图形为稀疏图形。
8.如权利要求1或2所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤一中,所述第一次双重图形拆分中采用均匀分配的方式进行着色和拆分。
9.如权利要求1所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤三的所述第二次OPC修正中,对所述第一层掩模板版图的OPC修正包括如下分步骤:
对所述第一层掩模板版图进行基于规则的OPC修正得到第一目标层;
在所述第一目标层上所述金属线工艺热点图形附近的所述器件辅助图形被去除的区域中填充亚分辨率辅助图形;
对所述第一目标层进行基于模型的OPC修正得到所述第一层掩模板版图对应的第一层最终掩模板版图。
10.如权利要求9所述的改善金属线工艺热点的OPC修正方法,其特征在于:步骤三的所述第二次OPC修正中,对所述第二层掩模板版图的OPC修正得到第二层最终掩模板版图,由所述最终掩模板版图由所述第一层掩模板版图和所述第二层最终掩模板版图组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110226492.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:离子注入区的形成方法
- 下一篇:一种高粘结力聚合物涂层隔膜及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备