[发明专利]发光器件、显示组件和发光器件的制造方法有效
申请号: | 202110217469.0 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN112786764B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 谢华飞 | 申请(专利权)人: | 维沃移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/60;H01L27/15 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 523863 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 显示 组件 制造 方法 | ||
本申请公开了一种发光器件、显示组件和发光器件的制造方法,属于LED封装技术领域。发光器件,包括:基板、反射层、发光单元以及色阻;基板与反射层层叠设置;发光单元设置在反射层上,色阻位于发光单元与基板之间;其中,发光单元发出的至少部分光线经由反射层反射至色阻,以使色阻输出单一颜色的光线后通过基板发出,在该设计中,通过控制色阻的尺寸即可实现超高分辨率的显示,克服了相关技术中Micro LED尺寸减小后,侧壁效应对超高分辨率的显示的影响。
技术领域
本申请属于一种LED封装技术领域,具体涉及一种发光器件、显示组件和发光器件的制造方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light-Emitting Diode,又名μLED,即微型发光二极管)技术,即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个驱动基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮,可看成是户外LED显示屏的微缩版,将像素点距离从毫米级降低至微米级。
随着相邻两个Micro LED像素点距离的减小,侧壁效应的影响凸显出来,由于侧壁效应的存在,现有Micro LED的尺寸无法进一步减小,现有技术方案中应用Micro LED生产得到的显示屏的分辨率较低,无法实现超高分辨率显示。
本申请实施例的目的是提供一种发光器件、显示组件和发光器件的制造方法,以实现超高分辨率显示。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种发光器件,包括:基板、反射层、发光单元以及色阻,基板与反射层层叠设置;发光单元设置在反射层上,色阻位于发光单元与基板之间;其中,发光单元发出的至少部分光线经由反射层反射至色阻,以使色阻输出单一颜色的光线后通过基板发出。
第二方面,本申请实施例提供了一种显示组件,包括:多个如第一方面中中任一项的发光器件。
第三方面,本申请实施例提供了一种发光器件的制造方法,包括:在基板上形成驱动电路层以及与驱动电路层中的半导体层连接的金属导电电极;在相邻两个金属导电电极之间形成色阻;将发光单元安装在色阻上;在发光单元上形成反射层。
在本申请实施例中,提出了一种发光器件,提出的发光器件包括基板、发光单元,反射层以及色阻,其中,发光单元设置在反射层上,以便在发光单元运行发出光线时,发出的光线被反射层反射,由于基板与反射层层叠设置,通过色阻后的单一光线传输到基板,并通过基板发出,以便进行显示。在该设计中,通过控制色阻的尺寸即可实现超高分辨率的显示,克服了相关技术中Micro LED尺寸减小后,侧壁效应对超高分辨率的显示的影响。
附图说明
图1示出了现有Micro LED显示屏截面示意图;
图2示出了本申请实施例中的Micro LED显示屏膜层结构图;
图3示出了本申请实施例中的Micro LED显示屏截面示意图;
图4示出了本申请实施例中的Micro LED显示屏截面示意图;
图5示出了有UV/蓝光LED加量子点(QD)发光色转换结构示意图;
图6示出了根据本申请实施例的发光器件的制造方法的流程示意图。
图1至图5中的附图标记与部件名称之间的对应关系为:
1基板,2遮光层,3绝缘层,4半导体层,5介电层,6栅极,7保护层,8源漏极,9钝化层,10金属导电电极,11间隔结构,12共晶连接,13发光单元,14色阻,15反射层,16驱动电路层,17间隙。
具体实施方式
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