[发明专利]放电控制电路和电流源电路

权利要求书

1.一种放电控制电路，构成为具有：多个放电元件；以及通过从外部输入的控制信号分别控制所述多个放电元件的接通、断开的多个逻辑电路，根据所述多个放电元件为接通状态，而从对应的端子抽出电荷，其特征在于，

所述放电控制电路构成为，具有使所述多个逻辑电路中的任一个逻辑电路的输出信号延迟的1个或2个以上的延迟电路，由所述延迟电路延迟后的信号被输入到其他逻辑电路，通过1个控制信号以规定的顺序来控制所述多个放电元件。

2.一种放电控制电路，构成为具有：多个放电元件；以及通过从外部输入的控制信号分别控制所述多个放电元件的接通、断开的多个逻辑电路，根据所述多个放电元件为接通状态，而从对应的端子抽出电流，其特征在于，

所述放电控制电路构成为，具有使所述控制信号延迟的1个或2个以上的延迟电路，所述控制信号或由所述延迟电路延迟后的信号被输入到所述多个逻辑电路中，通过1个控制信号以规定的顺序来控制所述多个放电元件。

3.根据权利要求1或2所述的放电控制电路，其特征在于，

所述放电控制电路构成为，在所述多个逻辑电路中被输入由所述延迟电路延迟后的信号的逻辑电路的初级，设置有增强型P沟道MOS晶体管、栅极端子和源极端子共通连接的耗尽型N沟道MOS晶体管和增强型N沟道MOS晶体管串联连接的逻辑阈值不受周围温度以及电源电压的影响的电路，对所述增强型P沟道MOS晶体管和所述增强型N沟道MOS晶体管的栅极端子输入由所述延迟电路延迟后的信号。

4.根据权利要求1或2所述的放电控制电路，其特征在于，

所述延迟电路具有流过恒流的电流源电路和通过所述电流源电路流过的电流进行充电的电容器，且具有根据所述电流源电路流过的电流的大小和所述电容器的电容值来决定延迟时间的结构。

5.根据权利要求4所述的放电控制电路，其特征在于，

所述延迟电路具有：

开关元件，其使所述电流源电路流过的电流导通或切断；

反相电路，其使该延迟电路的输出信号反相；以及

逻辑积电路，其将输入信号和所述反相电路的输出信号作为输入，

对所述开关元件的控制端子施加所述逻辑积电路的输出信号，响应所述输入信号，所述开关元件接通，在规定时间后该延迟电路的输出信号变化，相应地所述逻辑积电路的输出信号变化，无论所述输入信号如何，都使所述开关元件为断开状态而切断对所述电容器的充电电流。

6.一种电流源电路，具有耗尽型MOS晶体管，流过延迟电路所使用的恒流，其特征在于，

在所述耗尽型MOS晶体管的源极端子与电源电压端子或接地端子之间连接具有正的温度特性的电阻元件，

所述耗尽型MOS晶体管的栅极端子与所述电源电压端子或接地端子连接。

7.根据权利要求6所述的电流源电路，其特征在于，

所述耗尽型MOS晶体管是形成在半导体芯片上的元件，所述电阻元件由阱区域构成，所述阱区域与构成所述晶体管的基体的阱区域同时形成。

8.根据权利要求6所述的电流源电路，其特征在于，

所述耗尽型MOS晶体管是形成在半导体芯片上的元件，所述电阻元件由活性区域构成，所述活性区域与构成晶体管的源极区域和漏极区域的活性区域同时形成。

9.根据权利要求6所述的电流源电路，其特征在于，

所述电阻元件由对栅极端子施加了规定的电压的增强型MOS晶体管构成。

10.根据权利要求6～9中任一项所述的电流源电路，其特征在于，

所述耗尽型MOS晶体管是N沟道型，栅极端子与接地端子连接，所述电阻元件连接在所述耗尽型MOS晶体管的源极端子与接地端子之间。