[发明专利]MAPbI3

说明书

本发明公开了一种CH₃NH₃PbI₃(MAPbI₃)晶体的抛光方法，涉及抛光领域，包括以下步骤：准备好待抛光的晶体，对待抛光的晶体表面进行细砂纸的打磨处理；配制抛光液，通过煤油与硅油以1:9的体积比进行混合，配制抛光液溶剂；将25mL溶剂与2g氧化镁抛光粉混合后超声均匀分散，形成所用的抛光液；将抛光液均匀倾倒至金相绒布抛光垫上，对待抛光的晶体进行抛光；通过煤油对晶体进行清洗，得到理想的晶体表面。MAPbI₃晶体通过此方法抛光后，表面缺陷显著减少，电学性质明显提高。

技术领域

本发明涉及抛光领域，特别涉及一种CH₃NH₃PbI₃晶体的抛光方法，属于晶体材料表面处理技术领域。

背景技术

近年来，钙钛矿材料由于其带隙可调、吸收系数高、成本低等优势在国际上备受瞩目。其中，单晶钙钛矿具有优于多晶钙钛矿的光学、电学特性,成为制备高性能光电器件的理想材料。钙钛矿晶体的抛光不仅能减少晶体表面的缺陷，提高其电学性质，而且利于电极在晶体表面蒸镀以及能够适用于其他测试方法中。CH₃NH₃PbI₃，即MAPbI₃晶体材质脆并且软，同时该晶体会和水以及一部分溶液反应，导致常规的抛光方法不能套用。现有的文献资料中暂时没有对该晶体较为有效的抛光方法。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种MAPbI₃晶体的抛光方法，能够有效的降低MAPbI₃晶体表面的缺陷，利于其表面电极的蒸镀。在提高其电学性质的同时，也有利于该晶体内部形貌的观察。

为达到上述发明创造目的，本发明采用如下技术方案：

一种MAPbI₃晶体的抛光方法，所述MAPbI₃晶体为CH₃NH₃PbI₃晶体，抛光方法包含以下步骤：

步骤一：将待抛光的MAPbI₃晶体的待抛光面进行砂纸打磨处理；

步骤二：配制MAPbI₃晶体抛光液；

步骤三：将在所述步骤二中配制的抛光液均匀倾倒在绒布抛光垫上，对在所述步骤一中打磨处理过的MAPbI₃晶体的待抛光面进行抛光；

步骤四：使用煤油作为清洗剂，对在所述步骤三中完成抛光的MAPbI₃晶体进行清洗；

步骤五：用洁净的无尘布擦去在所述步骤四中完成进行清洗后残留在MAPbI₃晶体表面的煤油，获取抛光后的洁净MAPbI₃晶体。本发明方法能获得理想晶体抛光表面。

优选地，在所述步骤一中，对MAPbI₃晶体的待抛光面进行砂纸打磨处理，使6000目的砂纸进行打磨，除去晶体表面凹凸不平处，使晶体表面平整。进一步优选地，在使用砂纸打磨过程中，打磨力度不适宜过大，尽量减少按压晶体的过程，以防止晶体破碎；同时打磨的力度均匀，打磨方向趋于一致；使被砂纸打磨的晶体表面呈现平整的状态，通过肉眼能看到砂纸打磨留下的有规律排布的划痕，此类划痕分布均匀，深浅程度大致相同，方向趋于一致。

优选地，在所述步骤二中，对MAPbI₃晶体的抛光液的配制过程包括如下步骤：

2.1抛光液溶剂的配制：

将煤油与硅油以1:9的体积比进行混合制备混合溶剂，作为抛光液溶剂；

2.2抛光粉的选择：