[发明专利]MAPbI3

权利要求书

1.一种MAPbI₃晶体的抛光方法，所述MAPbI₃晶体为CH₃NH₃PbI₃晶体，其特征在于，抛光方法包含以下步骤：

步骤一：将待抛光的MAPbI₃晶体的待抛光面进行砂纸打磨处理；

步骤二：配制MAPbI₃晶体抛光液；

步骤三：将在所述步骤二中配制的抛光液均匀倾倒在绒布抛光垫上，对在所述步骤一中打磨处理过的MAPbI₃晶体的待抛光面进行抛光；

步骤四：使用煤油作为清洗剂，对在所述步骤三中完成抛光的MAPbI₃晶体进行清洗；

步骤五：用洁净的无尘布擦去在所述步骤四中完成进行清洗后残留在MAPbI₃晶体表面的煤油，获取抛光后的洁净MAPbI₃晶体。

2.根据权利要求1所述MAPbI₃晶体的抛光方法，其特征在于：在所述步骤一中，对MAPbI₃晶体的待抛光面进行砂纸打磨处理，使6000目的砂纸进行打磨，除去晶体表面凹凸不平处，使晶体表面平整；在使用砂纸打磨过程中，打磨力度不适宜过大，尽量减少按压晶体的过程，以防止晶体破碎；同时打磨的力度均匀，打磨方向趋于一致；使被砂纸打磨的晶体表面呈现平整的状态，通过肉眼能看到砂纸打磨留下的有规律排布的划痕，此类划痕分布均匀，深浅程度大致相同，方向趋于一致。

3.根据权利要求1所述MAPbI₃晶体的抛光方法，其特征在于：在所述步骤二中，对MAPbI₃晶体的抛光液的配制过程包括如下步骤：

2.1抛光液溶剂的配制：

将煤油与硅油以1:9的体积比进行混合制备混合溶剂，作为抛光液溶剂；

2.2抛光粉的选择：

选用材质较软的MgO粉体作为抛光粉，MgO粉体颗粒大小为10nm；

2.3抛光液的配制：

将抛光液溶剂和抛光粉以25mL:2g的比例在烧杯中进行混合，并超声至少30分钟或者仅进行手工搅拌，使抛光粉在抛光液溶剂中均匀分散，得到MAPbI₃晶体的抛光液。

4.根据权利要求3所述MAPbI₃晶体的抛光方法，其特征在于：在所述步骤2.3中，在抛光液的配制过程中，直接在抛光垫上配制抛光液，抛光液添加方法步骤如下：

称量2g的MgO抛光粉均匀铺在直径不小于21cm的圆形抛光垫上；然后在抛光垫上缓慢地倒入25mL的抛光液溶剂，通过手工按压，搅拌使MgO抛光粉均匀混合在抛光液溶剂中，直至无肉眼可见的MgO团聚颗粒，即在抛光垫上完成抛光液的配制；在抛光液的配制步骤完成后，抛光垫中充满配制完成的抛光液，整个抛光垫表面被白色的抛光液覆盖，并且没有明显可见的MgO颗粒。

5.根据权利要求1所述MAPbI₃晶体的抛光方法，其特征在于：在所述步骤三中，对MAPbI₃晶体在绒布抛光垫上进行抛光的过程，包括如下步骤：

3.1抛光垫的选择：

选用材质较软的金相绒布抛光垫；

3.2抛光的过程：

在手套箱中，在湿度不高于30％的低湿度环境下进行抛光过程，将MAPbI₃晶体待抛光面在附有抛光液的抛光垫上转动抛光，抛光时间至少为1.5小时。

6.根据权利要求5所述MAPbI₃晶体的抛光方法，其特征在于：在所述步骤3.2中，在低湿度的环境下进行抛光过程包括如下步骤：

将MAPbI₃晶体待抛光面在附有抛光液的抛光垫上转动抛光，转动力度均匀，转动过程中使晶体抛光面和抛光垫刚好接触，尽量减少按压晶体的过程；抛光过程持续至少1.5小时，期间需每隔不超过30分钟观察一次晶体的抛光面，根据划痕的情况调节力度，并重复添加抛光液，按照抛光液添加方法在抛光垫补充抛光液。