[发明专利]磁性传感器及磁性检测方法

说明书

本发明提供一种磁性传感器及磁性检测方法，能够提高对于被测定磁场的瞬态响应特性。本发明的磁性传感器(100)包括：霍尔集成电路(120)，在表面形成有霍尔元件(121)；以及引线框架(110)，支撑霍尔集成电路(120)，并且引线框架(110)包括：第一区域(111a)，配置于霍尔元件(121)的附近，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第一涡电流(i_a)，来产生第一磁场(h_a)；以及第二区域(111b)、第二区域(111c)，与第一区域(111a)分离而配置，利用通过施加被测定磁场(H)而生成的第二涡电流(i_b)、第二涡电流(i_c)，来产生将第一磁场(h_a)消除的强度的第二磁场(h_b+h_c)。

技术领域

本发明涉及一种磁性传感器及磁性检测方法。

背景技术

以前，已开发出大量如下的磁性传感器，将在表面形成有霍尔元件等具有指向性的磁性检测元件的半导体装置(半导体芯片)，以导电性的引线框架来支撑，且以将他们覆盖的方式进行树脂密封。

这种结构的磁性传感器中，在被测定磁场的强度或施加方向变化的情况下，在引线框架上生成涡电流，所述涡电流以与被测定磁场的强度或变化速度相应的大小来产生将被测定磁场消除的方向的磁场，因此存在对于被测定磁场的瞬态响应特性恶化的问题。

对此，例如公开了具有如下结构的磁性传感器，即，为了在磁性检测元件的附近不存在引线框架而在引线框架上设置有切口(例如参照专利文献1等)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利特表2009-544149号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在其中一个方面，目的在于提供一种能够提高对于被测定磁场的瞬态响应特性的磁性传感器。

解决问题的技术手段

在其中一个实施方式中，磁性传感器包括：

半导体装置，在表面形成有磁性检测元件；以及

导电性基体，支撑所述半导体装置，并且

所述导电性基体包括：

第一区域，配置于所述磁性检测元件的附近，利用通过施加被测定磁场而生成的第一涡电流，来产生第一磁场；以及

第二区域，与所述第一区域分离而配置，利用通过施加所述被测定磁场而生成的第二涡电流，来产生将所述第一磁场消除的强度的第二磁场。

本发明的一实施方式的磁性传感器，所述导电性基体为平板状。

本发明的一实施方式的磁性传感器，在所述第一区域与所述第二区域之间，设置有切口及狭缝中的至少任一者。

本发明的一实施方式的磁性传感器，所述第一区域的面积较所述第二区域的面积更窄。

本发明的一实施方式的磁性传感器，所述磁性检测元件具有指向性，自所述磁性检测元件的位置起，在所述磁性检测元件的灵敏度最大的感磁方向上配置有所述第一区域，并且自所述磁性检测元件的位置起，在所述感磁方向上未配置所述第二区域。

本发明的一实施方式的磁性传感器，所述磁性检测元件为霍尔元件、磁阻元件及磁性阻抗元件中的任一者。

本发明的一实施方式的磁性传感器，以在所述第一区域中包括与所述磁性检测元件最近的部位的方式设置有贯穿孔。