[发明专利]一种自切换阱开关电路

说明书

本发明公开了一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，第一高压PMOS管与ISW信号接口串联，第一高压PMOS管与第二高压PMOS管和第三高压PMOS管并联，第二高压PMOS管与INP信号接口串联。本发明仅使用了一个开关管即可实现高侧开关的开启，相较于普通电流开启的高侧开关，达到相同的导通电阻仅需1/4的开关管面积，同时开关可以自动完成阱电位的切换，即阱电位可以跟随输入/输出中较高的电压，没有关断漏电流，且该电路可以通过实现电流控制型开关的VGS等比例开启，提高各路电流控制型开关的通道匹配性以及温度特性，结构简单，降低制造成本。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体为一种自切换阱开关电路。

背景技术

随着科技的快速发展，我国各行各业都有了非常大的进步，并且对于各行各业的要求也越来严格，其中对于电源管理芯片的使用，有时需要高侧开关，该开关可以用来传送高压信号，也可以用作开关管对电路进行控制，对于高侧开关的要求要有防倒灌功能，因为开关两端的电压高低不确定，所以要求高侧开关在两端电压不一致时不能有漏电。典型的应用是Boost中的开关管，其阱电位是可以切换的，以防止漏电的产生。

现有开关虽然能够实现高侧开关功能，但缺点在于若想实现相等的导通电阻需要花费相同导通电阻单管四倍的面积，如果高侧开关的共模电压非常高，四倍面积就非常可观，就会大大增加芯片面积，提高成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自切换阱开关电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，所述第一高压PMOS管与ISW信号接口串联，所述第一高压PMOS管栅极与第一电阻并联，所述第一高压PMOS管与第二高压PMOS管和第三高压PMOS管并联，所述第二高压PMOS管与所述第三高压PMOS管串联，所述第二高压PMOS管与第一二极管并联，所述第二高压PMOS管栅极与第三电阻串联，所述第三电阻与所述第三高压PMOS管串联，所述第二高压PMOS管与INP信号接口串联，所述第三高压PMOS管与第二二极管并联，所述第三高压PMOS管与第二电阻串联，所述第二电阻与所述第二高压PMOS管串联，所述高压PMOS管与INN信号接口串联。

进一步的，所述第一高压PMOS管为对称结构的高压PMOS管，其是可通过空穴的流动运送电流的MOS管。

进一步的，所述第二高压PMOS管为非对称结构的高压PMOS管，其是可通过空穴的流动运送电流的MOS管。

进一步的，所述第三高压PMOS管为非对称结构的高压PMOS管，其是可通过空穴的流动运送电流的MOS管。

进一步的，所述第一二极管为所述第二高压PMOS管的体二极管，在VDD过压对所述第二高压PMOS管造成破坏之前，所述第一二极管先反向击穿，为P1的体提供偏执电压，ISW会抽一个恒定电流到地，不会有大电流，ISW电流将P1的栅电压偏置，确保P1开启。

进一步的，所述第二二极管为所述第三高压PMOS管的体二极管，在VDD过压对所述第三高压PMOS管造成破坏之前，所述第二二极管先反向击穿，为P2的体提供偏执电压，ISW会抽一个恒定电流到地，不会有大电流，ISW电流将P2的栅电压偏置，确保P2开启。

进一步的，所述第一高压PMOS管为P1，所述第二高压PMOS管为P2，所述第三高压PMOS管为P3，所述第一电阻为R1，所述第二电阻为R2，所述第一二极管为DP2，所述第二二极管为DP3。

与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：