[发明专利]一种自切换阱开关电路在审
| 申请号： | 202110209632.9 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112838855A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李明峰 | 申请（专利权）人： | 上海坤振集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K17/081 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区南汇新城镇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 切换 开关电路 | ||
1.一种自切换阱开关电路，包括第一高压PMOS管，其特征在于：所述第一高压PMOS管与ISW信号接口串联，所述第一高压PMOS管栅极与第一电阻并联，所述第一高压PMOS管与第二高压PMOS管和第三高压PMOS管并联，所述第二高压PMOS管与所述第三高压PMOS管串联，所述第二高压PMOS管与第一二极管并联，所述第二高压PMOS管栅极与第三电阻串联，所述第三电阻与所述第三高压PMOS管串联，所述第二高压PMOS管与INP信号接口串联，所述第三高压PMOS管与第二二极管并联，所述第三高压PMOS管与第二电阻串联，所述第二电阻与所述第二高压PMOS管串联，所述高压PMOS管与INN信号接口串联。
2.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第一高压PMOS管为对称结构的高压PMOS管。
3.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第二高压PMOS管为非对称结构的高压PMOS管。
4.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第三高压PMOS管为非对称结构的高压PMOS管。
5.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第一二极管为所述第二高压PMOS管的体二极管。
6.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第二二极管为所述第三高压PMOS管的体二极管。
7.根据权利要求1所述的一种自切换阱开关电路，其特征在于：所述第一高压PMOS管为P1，所述第二高压PMOS管为P2，所述第三高压PMOS管为P3，所述第一电阻为R1，所述第二电阻为R2，所述第一二极管为DP2，所述第二二极管为DP3。
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