[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110207824.6 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013344B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 高营昌;黄亚丽;王倩楠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/11 | 分类号： | H10K50/11;H10K59/10;H10K71/00;H10K101/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件，其中，所述有机电致发光器件包含：
阴极；
阳极；
N型有机半导体，所述N型有机半导体在所述阴极与所述阳极之间；和
P型有机半导体，所述P型有机半导体在所述N型有机半导体与所述阳极之间并且与所述N型有机半导体接触，
其中，所述P型有机半导体的LUMO能级在所述N型有机半导体的LUMO能级与HOMO能级之间，并且所述N型有机半导体的LUMO能级与所述P型有机半导体的LUMO能级的能级差所对应的电子跃迁发光波段处于近红外至紫外波长范围内，从而基于电子在所述N型有机半导体的LUMO能级与所述P型有机半导体的LUMO能级之间的跃迁发光，
其中，所述N型有机半导体的LUMO能级比所述P型有机半导体的LUMO能级高1.6eV以上。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述N型有机半导体的LUMO能级与所述P型有机半导体的LUMO能级的能级差所对应的电子跃迁发光波段处于可见光波长范围内。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述P型有机半导体的LUMO能级在-4.0eV至-6.0eV范围内。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述P型有机半导体选自：2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲、2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’-四氰基醌二甲烷、和2，5-二氟-3，6，7，7’，8，8’-六氰基醌二甲烷。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述N型有机半导体的HOMO能级比所述P型有机半导体的LUMO能级低0.3eV以上。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其中，所述有机电致发光器件还包含：
载流子传输体，所述载流子传输体在所述N型有机半导体与所述阴极之间并且与所述N型有机半导体接触，所述载流子传输体包含HOMO能级与所述N型有机半导体的HOMO能级的能级差在±0.3eV以内的有机半导体。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，所述HOMO能级与所述N型有机半导体的HOMO能级的能级差在±0.3eV以内的有机半导体是双极性载流子传输有机半导体。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其中，
所述双极性载流子传输有机半导体同时包含电子给体单元和电子受体单元。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，所述HOMO能级与所述N型有机半导体的HOMO能级的能级差在±0.3eV以内的有机半导体是空穴传输有机半导体。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其中，所述载流子传输体是厚度为10nm以下的载流子传输层。
11.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其中，所述载流子传输体是其中以5％以下的浓度掺杂所述空穴传输有机半导体的N型半导体。
12.一种制备权利要求1-11中任一项所述的有机电致发光器件的方法，其中，
通过真空蒸镀法、旋涂法或喷墨印刷法，制备相互接触的所述N型有机半导体和所述P型有机半导体。
13.一种包含根据权利要求1-11中任一项所述的有机电致发光器件的显示面板。
14.一种包含根据权利要求13所述的显示面板的显示装置。
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