[发明专利]一种基于抖动注入和负阻升压的晶体振荡器在审

专利信息
申请号: 202110203722.7 申请日: 2021-02-24
公开(公告)号: CN112994683A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 王子轩;吴伟;王耀晨;蔡志匡;刘璐 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H03L3/00 分类号: H03L3/00;H03B5/04
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 抖动 注入 升压 晶体振荡器
【权利要求书】:

1.一种基于抖动注入和负阻升压的晶体振荡器,其特征在于,包括高斯型脉冲注入振荡器、皮尔斯振荡器、负阻升压模块和状态机FSM,所述高斯型脉冲注入振荡器输出时钟信号至状态机,所述状态机的输出使能信号分别激活所述高斯型脉冲注入振荡器和负阻升压模块,输入信号分别接入所述状态机FSM和皮尔斯振荡器,所述状态机产生频率调谐字用于调节所述高斯型脉冲注入振荡器的振荡频率,所述振荡频率集中在晶体振荡器的谐振频率上,所述高斯型脉冲注入振荡器和皮尔斯振荡器输出起振信号至晶体振荡器。

2.根据权利要求1所述一种基于抖动注入和负阻升压的晶体振荡器,其特征在于,所述高斯型脉冲注入振荡器包括:

第四PMOS晶体管Mp4的栅极分别与第五PMOS晶体管Mp5、第六PMOS晶体管Mp6、第七PMOS晶体管Mp7、第八PMOS晶体管Mp8的栅极相连,所述第四PMOS晶体管Mp4、第五PMOS晶体管Mp5、第六PMOS晶体管Mp6、第七PMOS晶体管Mp7、第八PMOS晶体管Mp8的源极均接电源Vdd;

所述第四PMOS晶体管Mp4的漏极与栅极相连,并与第二NMOS晶体管MN2的漏极相连,所述第二NMOS晶体管由状态机生成的10位频率调谐字控制;

所述第五PMOS晶体管Mp5的漏极与第三NMOS晶体管MN3的漏极相连接;所述第六PMOS晶体管Mp6的漏极与反相器inv1的输入端相连接;所述第七PMOS晶体管Mp7的漏极与反相器inv2的输入端相连接;所述第八PMOS晶体管Mp8的漏极与反相器inv3的输入端相连接;

所述第三NMOS晶体管MN3的栅极分别与第四NMOS晶体管MN4、第五NMOS晶体管MN5、第六NMOS晶体管MN6的栅极相连,所述第三NMOS晶体管MN3、第四NMOS晶体管MN4、第五NMOS晶体管MN5、第六NMOS晶体管MN6的源极均接gnd;

所述第三MOS晶体管MN3的栅极和漏极相连接;所述第四NMOS晶体管MN4的漏极接反相器inv1的输入端;所述第五NMOS晶体管MN5的漏极接反相器inv2的输入端;所述第六NMOS晶体管MN6的漏极接反相器inv3的输入端;

所述反相器inv1的输入端还分别与放大器A1的输入端、电容C3的上极板相连,所述反相器inv1的输出端分别与电容C1的上极板、所述反相器inv2的输入端相连接;所述反相器inv2的输出端分别与电容C2的上极板、反相器inv3的输入端相连接;所述反相器inv3的输出端分别与电容C3的上极板、反相器inv4的输入端相连接;所述反相器inv4的输出端与所述状态机控制的传输门T2相连,所述传输门T2输出信号Xp;所述放大器A1的输出端与所述状态机控制的传输门T1相连,所述传输门T1输出信号Xm;所述电容C1、电容C2、电容C3的下极板均与gnd相连接;所述状态机输出使能信号ENinj控制所述传输门T1、T2的通断;

所述高斯型抖动注入振荡器的输出时钟信号clkinj至所述状态机的输入端口;所述高斯型抖动注入振荡器的输出信号Xm和Xp至晶体振荡器的输入端口,同时输出信号Xp至负阻升压模块的输入端口。

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