[发明专利]一种空心结构多级孔道Beta分子筛的制备方法有效
| 申请号： | 202110201464.9 | 申请日： | 2021-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN112919492B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 卓佐西;郑渭建;刘春红;祁志福;胡晨晖;杜凯敏;杨扬 | 申请（专利权）人： | 浙江浙能技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B39/04 | 分类号： | C01B39/04 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空心 结构 多级 孔道 beta 分子筛 制备 方法 | ||
1.一种空心结构多级孔道Beta分子筛的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用颗粒硅胶、发烟硅胶、硅溶胶和水玻璃中的一种或多种作为硅源，采用偏铝酸钠和硫酸铝中的一种或多种作为铝源，以四乙基氢氧化铵做结构导向剂，添加高硅铝比Beta分子筛作为晶种；高硅晶种的硅铝摩尔比范围为SiO2/Al2O3≥80；
S2、采用先高温后低温分段晶化的方法制备Beta分子筛；所得Beta分子筛硅铝摩尔比在20~80之间，呈现空心结构，具有多级孔道；高温段的晶化温度为160 oC~200 oC，晶化时间为1~48 小时；低温段的晶化温度为120 oC~160 oC，晶化时间为1-72小时。
2.如权利要求1所述的空心结构多级孔Beta分子筛的制备方法，其特点在于：所述步骤S1中，高硅铝比Beta分子筛占合成体系投入硅源质量百分比为5%~100%。
3.如权利要求1所述的空心结构多级孔Beta分子筛的制备方法，其特点在于：高硅晶种的硅铝摩尔比范围为SiO2/Al2O3≥100。
4.如权利要求1所述的空心结构多级孔Beta分子筛的制备方法，其特点在于：高温段的晶化温度为170 oC~190 oC，晶化时间为5~24小时；低温段的晶化温度为130 oC~150 oC，晶化时间为12~48小时。
5.如权利要求1所述的空心结构多级孔道Beta分子筛的制备方法，其特点在于：所述步骤S2中，所得Beta分子筛的合成摩尔配比为：SiO2/Al2O3=20~80，Na2O/SiO2=0.15~0.30，TEAOH/SiO2=0.12~0.30，H2O/SiO2=8~60。
6.如权利要求1所述的空心结构多级孔道Beta分子筛的制备方法，其特点在于：所述步骤S2中，所得Beta分子筛的空心部分大小及壳层厚度通过晶种大小及晶种用量加以控制。
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