[发明专利]超导量子比特空气桥的除胶方法及其芯片

权利要求书

1.一种超导量子比特空气桥的除胶方法，其特征在于，所述方法包括利用丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液对多超导量子比特空气桥上的光刻胶进行喷淋处理。

2.根据权利要求1所述的除胶方法，其特征在于，所述丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液中丙酮与N-甲基吡咯烷酮的体积比为：0.2～5，优选为0.5～3，最优选为1：1。

3.根据权利要求1或2所述的除胶方法，其特征在于，所述光刻胶选自以下一种或多种：S1813,SPR955,SPR220-7.0,SPR220-4.5,SPR220-3.0,SPR220-1.5,SPR220-1.2。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的除胶方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)固定制备好空气桥的超导量子比特芯片；

(2)调整步骤(1)中所述多超导量子比特芯片与竖直方向的夹角；

(3)使用丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液对多超导量子比特芯片垂直喷淋；

(4)调整所述多超导量子比特芯片的位置，重复步骤(3)，喷淋多超导量子比特芯片上其他存在光刻胶的位置。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述夹角范围为30°～60°，优选为40°～50°，最优选为45°。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液喷淋的流量为0.10ml/s～0.50ml/s,优选为0.20ml/s～0.40ml/s，最优选为0.35ml/s；和/或

所述丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液喷淋时间为1min～4min,优选为2min～3min，最优选为2.5min。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括以下步骤：

(5)重复步骤(4)直至所述丙酮和N-甲基吡咯烷酮混合溶液喷淋遍历多超导量子比特芯片；

(6)使用分析纯异丙醇液体对多超导量子比特芯片垂直遍历喷淋；

(7)使用去离子水对多超导量子比特芯片垂直遍历喷淋。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征与，步骤(6)中，所述分析纯异丙醇液体喷淋的流量为0.40ml/s～1.20ml/s,优选为0.60ml/s～1.00ml/s，最优选为0.80ml/s；和/或

所述异丙醇溶液喷淋时间为1min～5min,优选为2min～4min，最优选为3min。

9.根据权利要求7或8所述的方法，步骤(6)中，步骤(7)中，所述去离子水喷淋的流量为0.80ml/s～1.60ml/s,优选为1.00ml/s～1.40ml/s，最优选为1.20ml/s；和/或

所述去离子水喷淋时间为1min～4min,优选为2min～3min，最优选为2.5min。

10.一种超导量子比特芯片，其特征在于，所述超导量子比特芯片包括一个或多个空气桥，且所述超导量子比特芯片利用权利要求1至9中任一项所述的除胶方法进行空气桥的除胶。