[发明专利]一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法

权利要求书

1.一种构建存储单元物理模型的方法，其特征在于，包括：

获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；

根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；

根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型；

所述获取所述待测存储器的尺寸f s1 包括：

获取所述待测存储单元的沟道长度、所述待测存储单元的长或所述待测存储单元的宽；

所述获取与所述待测存储器的尺寸f s1 相对应的所述模板存储器的尺寸f s0 包括：

获取所述模板存储器的模板存储单元的沟道长度、所述模板存储单元的长或所述模板存储单元的宽；其中所述模板存储单元为所述模板存储器的其中一个存储单元；

所述建模参数包括：所述待测存储单元的灵敏体的长、所述待测存储单元的灵敏体的宽、所述待测存储单元的灵敏体的高和所述待测存储单元的灵敏体的位置，所述待测存储单元的长、所述待测存储单元的宽，以及所述待测存储单元的纵切面的元素成分分布和所述待测存储单元的纵切面的元素成分厚度；

所述待测存储单元的灵敏体的长记为X 1 ，则X 1 ＝X 0 /K，其中X 0 ：所述模板存储单元的灵敏体的长；

所述待测存储单元的灵敏体的宽记为Y 1 ，则Y 1 ＝Y 0 /K，其中Y 0 ：所述模板存储单元的灵敏体的宽；

所述待测存储单元的灵敏体的高记为Z 1 ，则Z 1 ＝Z 0 /K，其中Z 0 ：所述模板存储单元的灵敏体的高；

所述待测存储单元的长x 1 ，则x 1 ＝x 0 /K,其中x 0 ：所述模板存储单元的长；

所述待测存储单元的宽y 1 ，则y 1 ＝y 0 /K,其中y 0 ：所述模板存储单元的宽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取模板存储器和所述待测存储器的等比例放缩系数K包括：

获取所述待测存储器的尺寸f s1 ；

获取与所述待测存储器的尺寸f s1 相对应的所述模板存储器的尺寸f s0 ；

则所述等比例放缩系数K的计算公式为：

K＝f s0 /f s1 。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

通过光学显微镜或扫描电镜获取所述待测存储单元的沟道长度、所述待测存储单元的长或所述待测存储单元的宽。

4.一种获取单粒子翻转截面的方法，包括如权利要求1-3任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在所述根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型步骤之后还包括：

获取所述待测存储单元的临界能量；

建立粒子输运模型；

设置粒子源并向所述待测存储单元的灵敏体发射N个粒子；

统计每个所述粒子在所述待测存储单元的沉积能量；

统计单粒子翻转事件总数N seu ，其中一个所述粒子导致所述沉积能量大于所述临界能量记为一次单粒子翻转事件；

根据公式σ＝N seu /N·S 1 计算单粒子翻转截面σ，其中，σ：单粒子翻转截面，S 1 ：所述待测存储单元的底面积，S 1 ＝x 1 *y 1 。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述获取所述待测存储单元的临界能量包括：

根据所述模板存储器的临界能量和所述等比例放缩系数K确定所述临界能量或者根据所述模板存储器的临界电荷和所述等比例放缩系数K确定所述临界能量。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述模板存储器的临界能量和所述等比例放缩系数K确定所述临界能量或者根据所述模板存储器的临界电荷和所述等比例放缩系数K确定所述临界能量包括：

获取所述模板存储单元的临界电荷Q c0 ；

所述临界能量记为E 1 ，则E 1 ＝22.5×Q c0 /K 2 (MeV/pC)。