[发明专利]真空计在审
| 申请号: | 202110193213.0 | 申请日: | 2021-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN113358271A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
| 发明(设计)人: | 中井淳也;岸田创太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社堀场STEC |
| 主分类号: | G01L21/00 | 分类号: | G01L21/00 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉兰 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 真空计 | ||
1.一种真空计,其特征在于,具备:
传感器部,其介由连接端口与测量空间连通,并且输出与该测量空间的压力相应的输出信号;
加热器,其设置于所述传感器部的周围而对该传感器部进行加热;
电路基板,其相对于所述传感器部配置于与所述连接端口相反的一侧;
第一内壳,其收纳所述传感器部以及所述加热器;
第二内壳,其收纳所述电路基板;以及
外壳,其包围所述第一内壳以及所述第二内壳,并且在其与这些第一内壳以及第二内壳之间形成外气进行流通的流路。
2.根据权利要求1所述的真空计,其特征在于,
在以所述电路基板位于所述传感器部的上方的方式安装所述真空计的安装姿势下,所述流路的外气取入口朝向下方。
3.根据权利要求2所述的真空计,其特征在于,
在所述安装姿势下,所述外气取入口位于比所述第一内壳的下端部靠上方的位置。
4.根据权利要求3所述的真空计,其特征在于,
在所述安装姿势下,所述外壳的下端部位于比所述第一内壳的下端部靠上方的位置,
所述外壳的朝向下方的开口中的比所述第一内壳的外周面靠外侧的部分作为所述外气取入口而形成。
5.根据权利要求1所述的真空计,其特征在于,
所述外壳呈横截面为矩形状或者横截面为多边形的筒状,
所述第二内壳沿所述外壳的多个边进行设置,
所述电路基板沿所述第二内壳的内周面被支撑。
6.根据权利要求1所述的真空计,其特征在于,
所述第一内壳包括导热率比所述第二内壳以及所述外壳的导热率低的材料。
7.根据权利要求1所述的真空计,其特征在于,
所述外壳呈筒状,并且在盖体设置有将流过所述流路的外气再次向外部放出的通气口,所述盖体将该外壳的朝向与所述连接端口相反的一侧的开口封闭。
8.根据权利要求7所述的真空计,其特征在于,
还在所述外壳中与所述第二内壳对向的位置设置有将流过所述流路的外气再次向外部放出的通气口。
9.一种真空计,其特征在于,具备:
传感器部,其介由连接端口与测量空间连通,并且输出与该测量空间的压力相应的输出信号;
加热器,其设置于所述传感器部的周围而对该传感器部进行加热;
电路基板,其相对于所述传感器部配置于与所述连接端口相反的一侧;以及
外壳,其在所述传感器部以及所述电路基板的周围形成外气进行流通的流路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社堀场STEC,未经株式会社堀场STEC许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110193213.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基于关联分析的多标签关系的视频检索方法
- 下一篇:半导体元件及其制备方法





