[发明专利]一种双核MRI的图像增强超构表面器件

权利要求书

1.一种双核磁场增强装置，其特征在于，包括：

第一筒形磁场增强器(810)，包围形成第一容纳空间(819)，所述第一筒形磁场增强器(810)用于增强检测部位的氢质子核的核磁信号；

第二筒形磁场增强器(820)，设置于所述第一容纳空间(819)内，用于增强所述检测部位的非氢质子核的核磁信号，所述第二筒形磁场增强器(820)包围形成第二容纳空间(829)，用于容纳检测部位。

2.如权利要求1所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第一筒形磁场增强器(810)包括：

第一筒形支架(811)，具有第一外表面(801)与第一内表面(802)，所述第一外表面(801)环绕所述第一内表面(802)，并且与所述第一内表面(802)间隔相对设置，所述第一内表面(802)包围所述第一容纳空间(819)；

多个第一磁场增强组件(812)，所述第一磁场增强组件(812)的延伸方向与所述第一筒形支架(811)的第一中心轴线的延伸方向相同，并环绕所述第一筒形支架(811)的第一中心轴线间隔设置于所述第一外表面(801)；

每个所述第一磁场增强组件(812)具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第一磁场增强组件(812)的第一端依次连接，所述多个第一磁场增强组件(812)的第二端依次连接。

3.如权利要求2所述的双核磁场增强装置，其特征在于，还包括：

多个第一谐振控制电路(851)，一个所述第一谐振控制电路(851)与一个所述第一磁场增强组件(812)电连接，用于控制所述第一磁场增强组件(812)的工作状态。

4.如权利要求2所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第二筒形磁场增强器(820)包括：

第二筒形支架(821)，设置于所述第一容纳空间(819)内，所述第二筒形支架(821)具有第二外表面(803)，与所述第一内表面(802)间隔相对设置；

多个第二磁场增强组件(822)，间隔设置于所述第二外表面(803)，所述第二磁场增强组件(822)的延伸方向与所述第二筒形支架(821)的第二中心轴线的延伸方向相同；

每个所述第二磁场增强组件(822)具有相对设置的第一端和第二端，所述多个第二磁场增强组件(822)的第一端依次连接，所述多个第二磁场增强组件(822)的第二端依次连接。

5.如权利要求4所述的双核磁场增强装置，其特征在于，还包括：

多个第二谐振控制电路(852)，一个所述第二谐振控制电路(852)与一个所述第二磁场增强组件(822)电连接，用于控制所述第二磁场增强组件(822)的工作状态。

6.如权利要求4所述的双核磁场增强装置，其特征在于，所述第二磁场增强组件(822)包括：

第一电介质层(100)，包括间隔相对的第一表面(101)和第二表面(102)，所述第一电介质层(100)具有相对的第一端(103)与第二端(104)；

第一电极层(110)，设置于所述第一表面(101)，并覆盖部分所述第一表面(101)，且靠近所述第二端(104)设置；

第二电极层(120)，设置于所述第一表面(101)，与所述第一电极层(110)间隔设置，并覆盖部分所述第一表面(101)，且靠近所述第一端(103)设置；以及

第一外接电容(405)，所述第一外接电容(405)的一端与所述第二电极层(120)远离所述第一端(103)的一端连接，所述第一外接电容(405)的另一端与所述第一电极层(110)远离所述第二端(104)的一端连接，且所述第一外接电容(405)靠近所述第一电介质层(100)的中部设置。